[發明專利]一種光刻方法

在審

• 申請號: 202210493854.2
• 申請日: 2022-04-28
• 公開（公告）號: CN114937590A
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 王元剛;呂元杰;郭紅雨;卜愛民;徐森鋒;馮志紅
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033;H01L21/311
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 劉少卿

1.一種光刻方法，其特征在于，包括：

清洗和沉積：清洗半導體襯底，并在所述半導體襯底表面沉積生長介質；

光刻和蒸鍍金屬：在所述生長介質表面涂覆光刻膠，利用光刻機及光刻版對所述生長介質表面進行曝光、顯影，形成曝光圖形，在所述曝光圖形表面蒸鍍金屬薄膜，去除光刻膠，形成金屬掩膜圖形；

重復執行N次光刻和蒸鍍金屬操作；其中，N≧2，且N次光刻和蒸鍍金屬操作過程中采用至少兩種光刻版，所述至少兩種光刻版對應的光刻圖形之間存在重合區域，所述重合區域的形狀尺寸由介質刻蝕的目標形狀尺寸確定；

刻蝕和去除金屬：以所述金屬掩膜圖形表面的金屬薄膜為掩膜，刻蝕所述生長介質，去除所述金屬薄膜，形成介質刻蝕圖形。

2.如權利要求1所述的光刻方法，其特征在于，采用化學氣相沉積法在所述半導體襯底表面沉積所述生長介質。

3.如權利要求2所述的光刻方法，其特征在于，所述生長介質為氮化硅層或氧化硅層。

4.如權利要求1所述的光刻方法，其特征在于，采用濕法去膠機去除光刻膠。

5.如權利要求1所述的光刻方法，其特征在于，采用電子束蒸發真空鍍膜機蒸鍍金屬薄膜。

6.如權利要求1所述的光刻方法，其特征在于，采用等離子刻蝕機對所述生長介質進行刻蝕。

7.如權利要求1至6任一項所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻機采用接觸式光刻機。

8.如權利要求1至6任一項所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻機采用接近式光刻機。