[發(fā)明專利]一種抗電磁干擾的石墨烯屏蔽薄膜及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210491132.3 | 申請(qǐng)日: | 2022-05-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114773654B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-10-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 代忠信;戴上凱;戴宗良;宋顯峰;王麗萍;王為皓;鄧海撲;卞佳;劉鋒;劉亞邦 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 齊盛時(shí)代(廣州)科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C08J7/06 | 分類號(hào): | C08J7/06;C09D1/00;C09D7/61;C09D7/63;C09D7/65;C08L67/02 |
| 代理公司: | 北京華際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11676 | 代理人: | 鄧大文 |
| 地址: | 510665 廣東省廣州市天河*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電磁 干擾 石墨 屏蔽 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種抗電磁干擾的石墨烯屏蔽薄膜的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
步驟S1:以聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯為基膜,將其電暈處理;得到預(yù)處理基膜;
步驟S2:將預(yù)處理基膜表面旋涂磁性石墨烯溶液,旋涂后置于強(qiáng)度為90~95mT的磁場(chǎng)中2分鐘,干燥,第一次處理;旋涂銀納米線溶液,旋涂后干燥,置于硼氫化鈉溶液中洗滌,干燥,第二次處理;旋涂氧化石墨烯溶液,旋涂后氮?dú)飧稍铮谌翁幚恚谎h(huán)“第一次處理-第三次處理”2~4次;置于丙酮溶液中浸漬;洗滌、干燥;得到石墨烯屏蔽薄膜;
所述磁性石墨烯溶液的組分包括0.04~0.05mg/mL的磁性石墨烯和0.2~0.25mg/mL的聚二烯丙基二甲基氯化銨;
所述磁性石墨烯的制備過(guò)程為:按照質(zhì)量比為1:2的質(zhì)量比稱取氧化石墨烯和三氯化鐵;將氧化石墨烯超聲分散在水中,加入三氯化鐵攪拌均勻;加入氫氧化銨攪拌1~2小時(shí),靜置過(guò)夜;洗滌干燥,在750~800℃下煅燒2~3小時(shí),得到磁性石墨烯;
所述銀納米線溶液的組分中包括0.15~0.16mg/mL的銀納米線、0.04~0.05mg/mL的納米四氧化三鐵、0.2~0.25mg/mL的十二烷基苯磺酸鈉和0.55~0.6mg/mL的聚乙烯吡咯烷酮;所述硼氫化鈉溶液是以體積比1:1的去離子水和乙醇的混合溶液為溶劑,以硼氫化鈉為溶質(zhì),濃度為0.2~0.4mol/L;硼氫化鈉洗滌的時(shí)間為1~2分鐘;
所述氧化石墨烯溶液的組分中包括0.04~0.05mg/mL的氧化石墨烯、0.1~0.15mg/mL的聚二烯丙基二甲基氯化銨。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗電磁干擾的石墨烯屏蔽薄膜的制備方法,其特征在于:步驟S1中,所述電暈處理的工藝參數(shù)為:電壓為8~10V,電流頻率為30~40KHz。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗電磁干擾的石墨烯屏蔽薄膜的制備方法,其特征在于:步驟S2中,所述第一次處理過(guò)程中:在旋涂速度為1500~2000rpm下,將磁性石墨烯溶液旋涂20~30秒;旋涂后,置于強(qiáng)度為90~95mT的磁場(chǎng)中2分鐘;在90~100℃下干燥10~15分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗電磁干擾的石墨烯屏蔽薄膜的制備方法,其特征在于:步驟S2中,所述第二次處理過(guò)程中:在旋涂速度為3000~4000rpm下,將銀納米線溶液旋涂60~100秒;旋涂后,在60~80℃干燥箱中干燥10~15分鐘;置于硼氫化鈉溶液中洗滌,氮?dú)飧稍铩?/p>
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗電磁干擾的石墨烯屏蔽薄膜的制備方法,其特征在于:步驟S2中,所述第三次處理過(guò)程中,在旋涂速度為1500~2000rpm下,將氧化石墨烯溶液旋涂30~60秒;旋涂后氮?dú)飧稍铩?/p>
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的一種抗電磁干擾的石墨烯屏蔽薄膜的制備方法制備得到的石墨烯屏蔽薄膜,其特征在于:所述石墨烯屏蔽薄膜依次包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、磁性石墨烯層、銀納米線層、氧化石墨烯層。
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