[發(fā)明專利]一種大尺寸鈮酸鋰晶片及其加工方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210488874.0 | 申請(qǐng)日: | 2022-05-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114775040B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅毅;龔瑞;許伙長(zhǎng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 安徽科瑞思創(chuàng)晶體材料有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | C30B15/20 | 分類號(hào): | C30B15/20;B24B1/00;C30B29/30 |
| 代理公司: | 合肥正則元起專利代理事務(wù)所(普通合伙) 34160 | 代理人: | 付金浩 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 尺寸 鈮酸鋰 晶片 及其 加工 方法 | ||
1.一種大尺寸鈮酸鋰晶片的加工方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:通過(guò)制備富鋰多晶料、熔化、提拉生長(zhǎng)工藝,得到大尺寸鈮酸鋰晶體;
步驟2:將切割后的大尺寸鈮酸鋰晶片研磨,雙面減薄,得到表面具有粗糙結(jié)構(gòu)的大尺寸超薄鈮酸鋰雙面減薄片;然后,置于拋光裝置中進(jìn)行處理,得到大尺寸鈮酸鋰晶片;
拋光裝置處理大尺寸鈮酸鋰晶片的步驟如下:
將大尺寸鈮酸鋰晶片放置到滑動(dòng)板(14)和固定板(15)之間的安裝孔內(nèi),然后凸盤(9)轉(zhuǎn)動(dòng),使得凸盤(9)的圓弧部分別與彈性柱(16)抵接,使得滑動(dòng)板(14)向固定板(15)方向移動(dòng),將大尺寸鈮酸鋰晶片固定住;然后使拋光機(jī)(6)與大尺寸鈮酸鋰晶片接觸進(jìn)行拋光打磨;
所述拋光裝置包括機(jī)架(1)、固定盤(2)、安裝軸(3)、氣缸(4)、連接板(5)、拋光機(jī)(6);機(jī)架(1)內(nèi)設(shè)置有安裝軸(3),安裝軸(3)的兩側(cè)分別滑動(dòng)設(shè)置有連接板(5),連接板(5)上設(shè)置有多個(gè)拋光機(jī)(6),該拋光機(jī)(6)用于對(duì)大尺寸鈮酸鋰晶片進(jìn)行拋光打磨,安裝軸(3)的中部設(shè)置有固定盤(2),固定盤(2)用于對(duì)大尺寸鈮酸鋰晶片進(jìn)行固定夾持;連接板(5)為環(huán)形結(jié)構(gòu),且連接板(5)的內(nèi)圈設(shè)置有限位軸,限位軸位于安裝軸(3)的內(nèi)腔,且安裝軸(3)上設(shè)置有與限位軸相適配的滑槽,機(jī)架(1)上設(shè)置有氣缸(4),氣缸(4)的輸出端延伸至安裝軸(3)的內(nèi)腔中,并與限位軸連接;固定盤(2)包括放置盤(8)、凸盤(9)、夾持件(10),放置盤(8)和凸盤(9)上分別設(shè)置有與安裝軸(3)相適配的安裝孔,放置盤(8)上設(shè)置有多個(gè)夾持件(10),凸盤(9)轉(zhuǎn)動(dòng)安裝在放置盤(8)上;其中,夾持件(10)等間距設(shè)置有五個(gè);該夾持件(10)包括固定條(13)、滑動(dòng)板(14)、固定板(15)、彈性柱(16),固定條(13)平行設(shè)置有兩個(gè),在兩個(gè)固定條(13)之間分別設(shè)置有滑動(dòng)板(14)和固定板(15),固定板(15)固定設(shè)置在固定條(13)上,滑動(dòng)板(14)滑動(dòng)設(shè)置在固定條(13)上,固定板(15)位于固定條(13)遠(yuǎn)離凸盤(9)的位置上,滑動(dòng)板(14)位于固定條(13)靠近凸盤(9)的位置上,在滑動(dòng)板(14)和固定板(15)設(shè)置有與大尺寸鈮酸鋰晶片相適配的安裝孔,滑動(dòng)板(14)上設(shè)置有彈性柱(16),并通過(guò)彈性柱(16)與凸盤(9)的側(cè)壁滾動(dòng)連接;放置盤(8)的一側(cè)設(shè)置有機(jī)箱(7),機(jī)箱(7)內(nèi)設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電機(jī),驅(qū)動(dòng)電機(jī)的輸出端與主動(dòng)齒輪(12)連接,主動(dòng)齒輪(12)與從動(dòng)齒輪(11)嚙合連接,從動(dòng)齒輪(11)安裝在凸盤(9)靠近放置盤(8)內(nèi)的側(cè)壁上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大尺寸鈮酸鋰晶片的加工方法,其特征在于,制備富鋰多晶料:將配料碳酸鋰和五氧化二鈮摩爾比為1:1混合,混合均勻后再進(jìn)行壓塊,然后通過(guò)高溫?zé)Y(jié)得到富鋰多晶料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大尺寸鈮酸鋰晶片的加工方法,其特征在于,熔化:采用感應(yīng)加熱或電阻加熱的方式將富鋰多晶料熔化在鉑金坩堝中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大尺寸鈮酸鋰晶片的加工方法,其特征在于,提拉生長(zhǎng):在溫度1350℃下,調(diào)節(jié)籽晶桿的轉(zhuǎn)速為15轉(zhuǎn)/分鐘,并將其下端的籽晶降至熔融液中接種引晶,當(dāng)晶種直徑擴(kuò)張至30mm時(shí),以6mm/小時(shí)的速度向上提拉,進(jìn)行生長(zhǎng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大尺寸鈮酸鋰晶片的加工方法,其特征在于,研磨得到的大尺寸鈮酸鋰晶片的粗糙度<200nm,平坦度<10um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大尺寸鈮酸鋰晶片的加工方法,其特征在于,雙面減薄得到的大尺寸鈮酸鋰晶片的粗糙度<50nm,平坦度<2um。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大尺寸鈮酸鋰晶片的加工方法,其特征在于,拋光得到的大尺寸鈮酸鋰晶片的粗糙度<0.50nm,平坦度<1um。
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