[發(fā)明專(zhuān)利]微電子裝置和相關(guān)存儲(chǔ)器裝置、電子系統(tǒng)和方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210485872.6 | 申請(qǐng)日: | 2022-05-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115312524A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-11-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孔令雨;徐麗芳;I·V·恰雷;羅雙強(qiáng);黃淑嫻 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 美光科技公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/11519 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11531;H01L27/11548;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11578 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 趙子杰 |
| 地址: | 美國(guó)愛(ài)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微電子 裝置 相關(guān) 存儲(chǔ)器 電子 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種微電子裝置,其包括:
堆疊結(jié)構(gòu),其包括與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)豎直交錯(cuò)的絕緣結(jié)構(gòu);
第一支撐柱結(jié)構(gòu),其在第一階梯區(qū)中豎直延伸穿過(guò)所述堆疊結(jié)構(gòu),所述第一階梯區(qū)包含界定于所述絕緣結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的層的邊緣處的臺(tái)階;和
第二支撐柱結(jié)構(gòu),其在第二階梯區(qū)中豎直延伸穿過(guò)所述堆疊結(jié)構(gòu),所述第二階梯區(qū)包含界定于所述絕緣結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的額外層的邊緣處的額外臺(tái)階,所述第二支撐柱結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)具有比所述第一支撐柱結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)更小的橫向橫截面面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子裝置,其中所述第一支撐柱結(jié)構(gòu)展現(xiàn)橢圓形橫向橫截面形狀,且所述第二支撐柱結(jié)構(gòu)展現(xiàn)圓形橫向橫截面形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子裝置,其進(jìn)一步包括在所述第一階梯區(qū)的所述臺(tái)階處與所述堆疊結(jié)構(gòu)的所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的一些電連通的第一導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微電子裝置,其進(jìn)一步包括在所述第二階梯區(qū)的所述額外臺(tái)階處與所述堆疊結(jié)構(gòu)的所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的一些其它導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連通的第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu),所述第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)具有比所述第一導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)更大的橫向尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微電子裝置,其中對(duì)于所述第二階梯區(qū)內(nèi)的所述第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè),所述第一階梯區(qū)包含所述第一導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)中的四個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子裝置,其中所述第一階梯區(qū)的所述臺(tái)階位于豎直高于所述第二階梯區(qū)的所述額外臺(tái)階處。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的微電子裝置,其進(jìn)一步包括陣列區(qū),所述陣列區(qū)與所述第一階梯區(qū)橫向相鄰且包含豎直延伸穿過(guò)所述堆疊結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器單元串。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微電子裝置,其進(jìn)一步包括與所述存儲(chǔ)器單元串中的一個(gè)的溝道區(qū)電連通的導(dǎo)電接觸件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微電子裝置,其中所述導(dǎo)電接觸件的尺寸與和所述第一階梯區(qū)的臺(tái)階接觸的第一導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)的尺寸基本上相同。
10.一種存儲(chǔ)器裝置,其包括:
堆疊結(jié)構(gòu),其包括布置成層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和絕緣結(jié)構(gòu)的豎直交替序列;
陣列區(qū),其包括豎直延伸穿過(guò)所述堆疊結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器單元串;
第一階梯區(qū),其與所述陣列區(qū)橫向相鄰,且包括界定于所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述絕緣結(jié)構(gòu)的所述層中的一些的橫向邊緣處的臺(tái)階;
第二階梯區(qū),其與所述第一階梯區(qū)橫向相鄰,且包括界定于所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述絕緣結(jié)構(gòu)的所述層中的其它者的橫向邊緣處的額外臺(tái)階;
第一導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu),其與所述第一階梯區(qū)的所述臺(tái)階電連通;和
第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu),其與所述第二階梯區(qū)的所述額外臺(tái)階電連通,所述第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)具有比所述第一導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)更大的尺寸。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器裝置,其中所述第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)的直徑大于所述第一導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)的直徑的兩倍。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器裝置,其進(jìn)一步包括:
第一支撐柱結(jié)構(gòu),其位于所述第一階梯區(qū)中;和
第二支撐柱結(jié)構(gòu),其位于所述第二階梯區(qū)中。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器裝置,其中所述第一支撐柱結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)具有大于所述第二支撐柱結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)的橫向尺寸的橫向尺寸。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器裝置,其中:
所述第一支撐柱結(jié)構(gòu)個(gè)別地展現(xiàn)橢圓形橫向橫截面形狀;且
所述第二支撐柱結(jié)構(gòu)個(gè)別地展現(xiàn)圓形橫向橫截面形狀。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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