[發明專利]微電子裝置和相關存儲器裝置、電子系統和方法

在審

• 申請號: 202210485872.6
• 申請日: 2022-05-06
• 公開（公告）號: CN115312524A
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發明（設計）人: 孔令雨;徐麗芳;I·V·恰雷;羅雙強;黃淑嫻
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/11519
• 分類號: H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11531;H01L27/11548;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11578
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 趙子杰

1.一種微電子裝置，其包括：

堆疊結構，其包括與導電結構豎直交錯的絕緣結構；

第一支撐柱結構，其在第一階梯區中豎直延伸穿過所述堆疊結構，所述第一階梯區包含界定于所述絕緣結構和導電結構的層的邊緣處的臺階；和

第二支撐柱結構，其在第二階梯區中豎直延伸穿過所述堆疊結構，所述第二階梯區包含界定于所述絕緣結構和導電結構的額外層的邊緣處的額外臺階，所述第二支撐柱結構中的每一個具有比所述第一支撐柱結構中的每一個更小的橫向橫截面面積。

2.根據權利要求1所述的微電子裝置，其中所述第一支撐柱結構展現橢圓形橫向橫截面形狀，且所述第二支撐柱結構展現圓形橫向橫截面形狀。

3.根據權利要求1所述的微電子裝置，其進一步包括在所述第一階梯區的所述臺階處與所述堆疊結構的所述導電結構中的一些電連通的第一導電接觸結構。

4.根據權利要求3所述的微電子裝置，其進一步包括在所述第二階梯區的所述額外臺階處與所述堆疊結構的所述導電結構中的一些其它導電結構電連通的第二導電接觸結構，所述第二導電接觸結構中的每一個具有比所述第一導電接觸結構中的每一個更大的橫向尺寸。

5.根據權利要求4所述的微電子裝置，其中對于所述第二階梯區內的所述第二導電接觸結構中的每一個，所述第一階梯區包含所述第一導電接觸結構中的四個。

6.根據權利要求1所述的微電子裝置，其中所述第一階梯區的所述臺階位于豎直高于所述第二階梯區的所述額外臺階處。

7.根據權利要求1至6中任一權利要求所述的微電子裝置，其進一步包括陣列區，所述陣列區與所述第一階梯區橫向相鄰且包含豎直延伸穿過所述堆疊結構的存儲器單元串。

8.根據權利要求7所述的微電子裝置，其進一步包括與所述存儲器單元串中的一個的溝道區電連通的導電接觸件。

9.根據權利要求8所述的微電子裝置，其中所述導電接觸件的尺寸與和所述第一階梯區的臺階接觸的第一導電接觸結構的尺寸基本上相同。

10.一種存儲器裝置，其包括：

堆疊結構，其包括布置成層的導電結構和絕緣結構的豎直交替序列；

陣列區，其包括豎直延伸穿過所述堆疊結構的存儲器單元串；

第一階梯區，其與所述陣列區橫向相鄰，且包括界定于所述導電結構和所述絕緣結構的所述層中的一些的橫向邊緣處的臺階；

第二階梯區，其與所述第一階梯區橫向相鄰，且包括界定于所述導電結構和所述絕緣結構的所述層中的其它者的橫向邊緣處的額外臺階；

第一導電接觸結構，其與所述第一階梯區的所述臺階電連通；和

第二導電接觸結構，其與所述第二階梯區的所述額外臺階電連通，所述第二導電接觸結構具有比所述第一導電接觸結構更大的尺寸。

11.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其中所述第二導電接觸結構中的每一個的直徑大于所述第一導電接觸結構中的每一個的直徑的兩倍。

12.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其進一步包括：

第一支撐柱結構，其位于所述第一階梯區中；和

第二支撐柱結構，其位于所述第二階梯區中。

13.根據權利要求12所述的存儲器裝置，其中所述第一支撐柱結構中的每一個具有大于所述第二支撐柱結構中的每一個的橫向尺寸的橫向尺寸。

14.根據權利要求12所述的存儲器裝置，其中：

所述第一支撐柱結構個別地展現橢圓形橫向橫截面形狀；且

所述第二支撐柱結構個別地展現圓形橫向橫截面形狀。