[發(fā)明專(zhuān)利]微電子裝置和相關(guān)存儲(chǔ)器裝置、電子系統(tǒng)和方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210485872.6
• 申請(qǐng)日: 2022-05-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115312524A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孔令雨;徐麗芳;I·V·恰雷;羅雙強(qiáng);黃淑嫻
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11519
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11531;H01L27/11548;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11578
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 趙子杰

1.一種微電子裝置，其包括：

堆疊結(jié)構(gòu)，其包括與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)豎直交錯(cuò)的絕緣結(jié)構(gòu)；

第一支撐柱結(jié)構(gòu)，其在第一階梯區(qū)中豎直延伸穿過(guò)所述堆疊結(jié)構(gòu)，所述第一階梯區(qū)包含界定于所述絕緣結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的層的邊緣處的臺(tái)階；和

第二支撐柱結(jié)構(gòu)，其在第二階梯區(qū)中豎直延伸穿過(guò)所述堆疊結(jié)構(gòu)，所述第二階梯區(qū)包含界定于所述絕緣結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的額外層的邊緣處的額外臺(tái)階，所述第二支撐柱結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)具有比所述第一支撐柱結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)更小的橫向橫截面面積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子裝置，其中所述第一支撐柱結(jié)構(gòu)展現(xiàn)橢圓形橫向橫截面形狀，且所述第二支撐柱結(jié)構(gòu)展現(xiàn)圓形橫向橫截面形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子裝置，其進(jìn)一步包括在所述第一階梯區(qū)的所述臺(tái)階處與所述堆疊結(jié)構(gòu)的所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的一些電連通的第一導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微電子裝置，其進(jìn)一步包括在所述第二階梯區(qū)的所述額外臺(tái)階處與所述堆疊結(jié)構(gòu)的所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的一些其它導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連通的第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)，所述第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)具有比所述第一導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)更大的橫向尺寸。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微電子裝置，其中對(duì)于所述第二階梯區(qū)內(nèi)的所述第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)，所述第一階梯區(qū)包含所述第一導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)中的四個(gè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微電子裝置，其中所述第一階梯區(qū)的所述臺(tái)階位于豎直高于所述第二階梯區(qū)的所述額外臺(tái)階處。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的微電子裝置，其進(jìn)一步包括陣列區(qū)，所述陣列區(qū)與所述第一階梯區(qū)橫向相鄰且包含豎直延伸穿過(guò)所述堆疊結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器單元串。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微電子裝置，其進(jìn)一步包括與所述存儲(chǔ)器單元串中的一個(gè)的溝道區(qū)電連通的導(dǎo)電接觸件。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微電子裝置，其中所述導(dǎo)電接觸件的尺寸與和所述第一階梯區(qū)的臺(tái)階接觸的第一導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)的尺寸基本上相同。

10.一種存儲(chǔ)器裝置，其包括：

堆疊結(jié)構(gòu)，其包括布置成層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和絕緣結(jié)構(gòu)的豎直交替序列；

陣列區(qū)，其包括豎直延伸穿過(guò)所述堆疊結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器單元串；

第一階梯區(qū)，其與所述陣列區(qū)橫向相鄰，且包括界定于所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述絕緣結(jié)構(gòu)的所述層中的一些的橫向邊緣處的臺(tái)階；

第二階梯區(qū)，其與所述第一階梯區(qū)橫向相鄰，且包括界定于所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述絕緣結(jié)構(gòu)的所述層中的其它者的橫向邊緣處的額外臺(tái)階；

第一導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)，其與所述第一階梯區(qū)的所述臺(tái)階電連通；和

第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)，其與所述第二階梯區(qū)的所述額外臺(tái)階電連通，所述第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)具有比所述第一導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)更大的尺寸。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)的直徑大于所述第一導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)的直徑的兩倍。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器裝置，其進(jìn)一步包括：

第一支撐柱結(jié)構(gòu)，其位于所述第一階梯區(qū)中；和

第二支撐柱結(jié)構(gòu)，其位于所述第二階梯區(qū)中。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述第一支撐柱結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)具有大于所述第二支撐柱結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)的橫向尺寸的橫向尺寸。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器裝置，其中：

所述第一支撐柱結(jié)構(gòu)個(gè)別地展現(xiàn)橢圓形橫向橫截面形狀；且

所述第二支撐柱結(jié)構(gòu)個(gè)別地展現(xiàn)圓形橫向橫截面形狀。