[發明專利]一種有機場效應晶體管及其制備方法

在審

• 申請號: 202210485343.6
• 申請日: 2022-05-06
• 公開（公告）號: CN114927615A
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發明（設計）人: 許金友;趙子豪;宋佳迅;王興宇;張玲玉;宋健;廖記輝;周國富
• 申請（專利權）人: 華南師范大學
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40;H01L51/05
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 張建珍

1.一種有機場效應晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、在襯底的表面制備納米級溝道陣列；

S2、在所述表面制備柵電極；

S3、在所述柵電極的表面制備介質層；

S4、對所述介質層的表面進行疏水處理，而后通過物理氣相沉積在其上制備有機半導體納米線陣列層；

S5、在所述有機半導體納米線陣列層的表面制備源電極和漏電極。

2.根據權利要求1所述的有機場效應晶體管的制備方法，其特征在于，步驟S2中，所述柵電極包括至少兩個子柵電極。

3.根據權利要求2所述的有機場效應晶體管的制備方法，其特征在于，所述子柵電極之間呈陣列排布。

4.根據權利要求2所述的有機場效應晶體管的制備方法，其特征在于，步驟S2中，借助第一掩模版通過光刻技術在所述表面制備柵電極模板，而后在所述柵電極模板上通過真空蒸發鍍膜制備柵電極。

5.根據權利要求4所述的有機場效應晶體管的制備方法，其特征在于，步驟S5中，借助第二掩模版通過光刻技術在所述有機半導體納米線陣列層的表面制備源電極模板和漏電極模板，而后分別在所述源電極模板和所述漏電極模板上通過真空蒸發鍍膜制備源電極和漏電極。

6.根據權利要求5所述的有機場效應晶體管的制備方法，其特征在于，步驟S3中，所述介質層的制備采用原子層沉積法。

7.根據權利要求1所述的有機場效應晶體管的制備方法，其特征在于，所述柵電極與所述介質層的總厚度小于100nm。

8.根據權利要求1所述的有機場效應晶體管的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述襯底為M面藍寶石；通過對所述M面藍寶石進行退火處理，以在其表面形成納米級溝道陣列。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的有機場效應晶體管的制備方法，其特征在于，所述柵電極、所述源電極和所述漏電極的材質各自獨立地選自金；所述介質層的材質選自氧化鋁；所述有機半導體納米線陣列層的材質選自金屬酞菁。

10.一種有機場效應晶體管，其特征在于，由權利要求1至9中任一項所述的有機場效應晶體管的制備方法制得。