[發明專利]一種實時控制NEA GaN光電陰極量子效率的方法

在審

• 申請號: 202210484320.3
• 申請日: 2022-04-27
• 公開（公告）號: CN115020168A
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 王曉暉;張世博;王振營
• 申請（專利權）人: 電子科技大學長三角研究院（湖州）
• 主分類號: H01J9/12
• 分類號: H01J9/12;H01J1/34
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種實時控制NEA GaN光電陰極量子效率的方法，包括：

步驟1、建立溫度校準模型；

步驟2、測量GaN光電陰極樣品的量子效率QE₀、波長λ₀和溫度T₀，根據數據擬合樣品參數；

步驟3、將工作時的光波長λ、目標量子效率QE及擬合得到的樣品參數輸入到之前建立的溫度校準模型中計算出理論溫度T₁；

步驟4、設定偏離度為S，測量T₁溫度下的GaN光電陰極量子效率QE₁并計算得到偏離度S₁，若S₁小于設定的偏離度S，輸出溫度T＝T₁，若S₁大于設定值，則根據T₁，QE₁繼續擬合樣品參數并修正，之后重復步驟3再次計算得到溫度T₂，測量T₂條件下的量子效率QE₂并比較偏離度S₂和設定值；

步驟5、循環上述步驟，直至偏離度小于設定值，輸出對應量子效率QE的最佳溫度T。其特征在于，該方法具有自校準功能，上述過程均可由計算機自動進行，只需要事先輸入目標量子效率QE和規定的偏離度S即可。

2.根據權利要求1所述的一種實時控制NEA GaN光電陰極量子效率的方法，其特征在于，建立了如下所示的溫度校準模型，通過調節溫度實時控制GaN光電陰極的量子效率。

其中a、b、c、α₀、γ、β、μ、г，Ψ為樣品相關參數，n為樣品折射率，p為樣品消光系數，k為玻爾茲曼常數，e為電子電量，T為溫度，單位為K。

3.根據權利要求1所述的一種實時控制NEA GaN光電陰極量子效率的方法，其特征在于，所使用的光波長在100-365nm，工作的溫度在20-600K，波長由分光儀測定，溫度由電子溫度傳感器測定。

4.根據權利要求1所述的一種實時控制NEA GaN光電陰極量子效率的方法，其特征在于，數據擬合樣品參數時需測量m組數據，以此來保證擬合的樣品參數的準確性。

5.根據權利要求1所述的一種實時控制NEA GaN光電陰極量子效率的方法，其特征在于，所述偏離度定義如下:

S_n＝|QE_n-QE|/QE×100％。

6.根據權利要求5所述的一種實時控制NEA GaN光電陰極量子效率的方法，其特征在于，針對溫度校準模型，若一次不能得到最佳溫度，則按照所述模型多次計算樣品參數并修正，直至偏離度小于設定的值，此時輸出最佳溫度。