[發(fā)明專利]一種層疊封裝的下封裝體結(jié)構(gòu)及其形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210478836.7
• 申請(qǐng)日: 2022-05-05
• 公開（公告）號(hào): CN114582731A
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫鵬;徐成;曹立強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/498
• 代理公司: 上海智晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅

1.一種層疊封裝的下封裝體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

在襯底上形成臨時(shí)鍵合犧牲層；

在臨時(shí)鍵合犧牲層上形成絕緣層和金屬重布線互連結(jié)構(gòu)；

在金屬重布線互連結(jié)構(gòu)上形成金屬柱和凸點(diǎn)下金屬化層；

將芯片焊接在凸點(diǎn)下金屬化層上，并在芯片與絕緣層之間填充底填膠；

芯片的背面貼裝散熱結(jié)構(gòu)；

進(jìn)行晶圓塑封形成塑封層；

去除襯底和臨時(shí)鍵合犧牲層，露出部分金屬重布線互連結(jié)構(gòu)；以及

在露出的金屬重布線互連結(jié)構(gòu)上植球，并將塑封晶圓切割，形成單個(gè)下封裝體結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊封裝的下封裝體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述凸點(diǎn)下金屬化層時(shí)，先在所述絕緣層上涂覆光刻膠，通過光刻去除中間部分的金屬重布線互連結(jié)構(gòu)上方的光刻膠形成線路圖形，在線路圖形上電鍍金屬形成凸點(diǎn)下金屬化層，最后除去光刻膠。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊封裝的下封裝體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述金屬柱時(shí)，先在所述絕緣層上涂覆光刻膠，通過光刻去除邊緣部分的金屬重布線互連結(jié)構(gòu)上方的光刻膠形成多個(gè)孔，電鍍孔形成金屬柱，最后除去光刻膠。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊封裝的下封裝體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，將位于所述芯片的正面的凸點(diǎn)與所述凸點(diǎn)下金屬化層焊接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊封裝的下封裝體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述散熱結(jié)構(gòu)是金屬熱沉，并且通過熱沉粘接材料將所述金屬熱沉與所述芯片的背面粘接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊封裝的下封裝體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，通過輔助薄膜封裝技術(shù)將絕緣層至散熱結(jié)構(gòu)的上表面之間塑封形成塑封層，露出所述金屬柱的頂部和所述散熱結(jié)構(gòu)的上表面。

7.通過權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的層疊封裝的下封裝體結(jié)構(gòu)的形成方法形成的一種層疊封裝的下封裝體結(jié)構(gòu)，包括：

芯片，其具有正面和與正面相對(duì)的背面；

凸點(diǎn)，其位于所述芯片的正面；

散熱結(jié)構(gòu)，其貼裝在所述芯片的背面；

絕緣層；

金屬重布線互連結(jié)構(gòu)，其位于所述絕緣層中；

凸點(diǎn)下金屬化層，其布置在所述金屬重布線互連結(jié)構(gòu)上，且與所述凸點(diǎn)焊接；

底填膠，其布置在所述絕緣層與所述芯片之間；

金屬柱，其布置在所述金屬重布線互連結(jié)構(gòu)上；

焊球，其與所述金屬重布線互連結(jié)構(gòu)電連接；以及

塑封層，其將所述絕緣層至所述散熱結(jié)構(gòu)的上表面之間塑封。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的層疊封裝的下封裝體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱結(jié)構(gòu)的上表面和所述金屬柱的頂部露出所述塑封層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的層疊封裝的下封裝體結(jié)構(gòu)，其特征在于，多個(gè)所述金屬柱位于所述芯片的兩側(cè)。