[發明專利]一種過硅孔鈍化層的厚度測量裝置

在審

• 申請號: 202210478408.4
• 申請日: 2022-04-29
• 公開（公告）號: CN114858066A
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 霍樹春;石俊凱;陳曉梅;李冠楠;姜行健;董登峰;周維虎
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G01B11/06
• 分類號: G01B11/06;H01L21/66
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種過硅孔鈍化層的厚度測量裝置，其特征在于，包括：

入射光調控裝置(4)，用于調整原始光束，使其形成環形的入射光；

凸透鏡(1)，用于調整入射光的角度，使其斜向入射過硅孔鈍化層，并接收過硅孔鈍化層反射的反射光；

光譜/光強測量裝置(2)，用于接收所述反射光，并測量所述反射光的光譜/光強，根據入射光的光譜/光強與所述反射光的光譜/光強，計算過硅孔鈍化層的反射率，并根據反射率計算所述過硅孔的鈍化層的厚度。

2.根據權利要求1所述的過硅孔鈍化層的厚度測量裝置，其特征在于，所述入射光調控裝置(4)包括：

偏振分束器(41)，用于將所述原始光束轉化為線性偏振光；

半波片(45)，用于調整所述線性偏振光的偏振態形成第一偏振光，并將所述第一偏振光傳遞至所述光調制器(42)；

光調制器(42)，用于調制所述第一偏振光形成環形的第二偏振光；

所述光調制器(42)還用于將所述第二偏振光傳遞至所述半波片(45)；

所述半波片(45)還用于調整所述第二偏振光的偏振態形成第三偏振光，并返回給偏振分束器(41)；

所述偏振分束器(41)還用于將所述第三偏振光轉化為環形的第四偏振光；

光彈調制器(46)，用于對所述環形的第四偏振光去偏振，形成所述環形的入射光。

3.根據權利要求2所述的過硅孔鈍化層的厚度測量裝置，其特征在于，所述入射光調控裝置(4)還包括：

透鏡(43)，用于對所述光調制器(42)調整后的環形的入射光進行擴束，調整環形的入射光的直徑和光強。

4.根據權利要求2所述的過硅孔鈍化層的厚度測量裝置，其特征在于，所述入射光調控裝置(4)還包括：

光闌(44)，用于限制所述光調制器(42)調整后的環形的入射光，并對其進行濾波。

5.根據權利要求1所述的過硅孔鈍化層的厚度測量裝置，其特征在于，還包括：

入射光檢測裝置(5)，用于采集入射光的光束圖像，并反饋給所述入射光調控裝置(4)，以使所述入射光調控裝置(4)將所述入射光的光束圖像調整至符合要求。

6.根據權利要求5所述的過硅孔鈍化層的厚度測量裝置，其特征在于，還包括：

第一分束器(6)，用于將入射光調控裝置(4)輸出的環形的入射光分為檢測光束和厚度測量光束，所述檢測光束傳遞給入射光檢測裝置(5)，所述厚度測量光束傳遞給凸透鏡(1)。

7.根據權利要求1所述的過硅孔鈍化層的厚度測量裝置，其特征在于，還包括：

顯微成像裝置(3)，用于接收所述反射光，并通過所述反射光對過硅孔顯微成像，以便使用者監測并調控樣品的測量位置。

8.根據權利要求7所述的過硅孔鈍化層的厚度測量裝置，其特征在于，還包括：

第二分束器(7)，用于將所述反射光分為成像光束和測量光束，所述成像光束傳遞給顯微成像裝置(3)，所述測量光束傳遞給光譜/光強測量裝置(2)。

9.根據權利要求1所述的過硅孔鈍化層的厚度測量裝置，其特征在于，還包括：

筒鏡(10)，設置于所述凸透鏡(1)與所述光譜/光強測量裝置(2)之間，用于將所述反射光匯聚至所述光譜/光強測量裝置(2)的光譜儀光闌(21)處；

筒鏡光闌(8)，設置于所述筒鏡(10)與所述光譜/光強測量裝置(2)之間，用于限制筒鏡(10)匯聚后的反射光，并對其進行濾波。

10.根據權利要求1所述的過硅孔鈍化層的厚度測量裝置，其特征在于，還包括：

原始光束發生器(9)，用于產生準直單波長的原始光束，并將其傳遞給入射光調控裝置(4)。