[發明專利]一種可調諧的薄膜體聲波諧振器及其制備方法

在審

• 申請號: 202210478378.7
• 申請日: 2022-05-05
• 公開（公告）號: CN114826196A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 王雅馨;劉炎;蔡耀;孫博文;孫成亮
• 申請（專利權）人: 武漢敏聲新技術有限公司
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H03H9/02;H03H3/04
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 崔熠

1.一種可調諧的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，包括襯底，以及依次設置于所述襯底上的底電極、壓電層和頂電極，所述襯底設置有凹槽以與所述底電極之間形成空腔，所述底電極、所述壓電層和所述頂電極在所述襯底上的正投影的共同部分與所述空腔在所述襯底上的正投影的交疊區域作為有效振動區，所述壓電層上開設有容置槽，所述容置槽在所述襯底上的正投影與所述空腔在所述襯底上的正投影交疊，且所述容置槽內填充有介電質，以使所述容置槽處形成電容結構。

2.根據權利要求1所述的可調諧的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，位于所述有效振動區內的所述底電極和所述頂電極的形狀相同。

3.根據權利要求2所述的可調諧的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，位于所述有效振動區內的所述底電極的面積大于所述壓電層的面積。

4.根據權利要求2所述的可調諧的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述介電質為空氣、二氧化硅或碳化硅。

5.根據權利要求1-4任意一項所述的可調諧的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述有效振動區設置有貫穿所述底電極、所述壓電層和所述頂電極的釋放孔，所述釋放孔與所述容置槽的正投影相對應，或，偏離所述容置槽。

6.一種可調諧的薄膜體聲波諧振器的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供襯底；

在所述襯底上依次形成底電極和壓電層；

在所述壓電層上刻蝕形成容置槽，并在所述容置槽內填充填充物；

在所述壓電層上形成頂電極，以使所述底電極、所述填充物和所述頂電極之間形成電容結構。

7.根據權利要求6所述的可調諧的薄膜體聲波諧振器的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底上依次形成底電極和壓電層之前，所述方法還包括：

在所述襯底上刻蝕出凹槽；

在所述凹槽內沉積犧牲層。

8.根據權利要求6或7所述的可調諧的薄膜體聲波諧振器的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底上依次形成底電極和所述壓電層包括：

在所述襯底上沉積底電極層；

對所述底電極層圖案化，以形成所述底電極；

在所述底電極上沉積壓電層。

9.根據權利要求7所述的可調諧的薄膜體聲波諧振器的制備方法，其特征在于，所述在所述壓電層上形成頂電極之后，所述方法還包括：

在所述底電極、所述壓電層和所述頂電極上刻蝕與所述犧牲層導通釋放孔；

通過所述釋放孔去除所述犧牲層以形成空腔。

10.根據權利要求7所述的可調諧的薄膜體聲波諧振器的制備方法，其特征在于，所述在所述壓電層上形成頂電極之后，所述方法還包括：

所述底電極、所述填充物和所述頂電極上刻蝕將填充物與犧牲層導通的釋放孔；

通過所述釋放孔去除所述容置槽內的填充物和所述凹槽內的犧牲層。