[發明專利]一種在eMMC測試中精準注入VDT的方法、存儲介質及電子設備在審
| 申請號： | 202210474231.0 | 申請日： | 2022-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN114822667A | 公開（公告）日： | 2022-07-29 |
| 發明（設計）人： | 孫成思;孫日欣;何陽;李新春 | 申請（專利權）人： | 深圳佰維存儲科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/12 | 分類號： | G11C29/12;G11C29/56 |
| 代理公司： | 深圳市博銳專利事務所 44275 | 代理人： | 歐陽燕明 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區桃源街道平山社區留仙*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 emmc 測試 精準 注入 vdt 方法 存儲 介質 電子設備 | ||
1.一種在eMMC測試中精準注入VDT的方法，其特征在于，將注入VDT的命令嵌入對eMMC芯片的讀寫命令的數據傳輸過程中執行。
2.根據權利要求1所述的一種在eMMC測試中精準注入VDT的方法，其特征在于，具體包括步驟：
步驟S1，發送讀或寫數據命令給eMMC芯片，在收到讀或寫數據命令應答后向eMMC芯片發送或讀取數據；
步驟S2，注入VDT；
步驟S3，數據傳輸完成，發送停止傳輸命令給eMMC芯片。
3.根據權利要求2所述的一種在eMMC測試中精準注入VDT的方法，其特征在于，所述步驟S2具體包括：
調用預先構建好的函數，給定參數以注入VDT。
4.根據權利要求3所述的一種在eMMC測試中精準注入VDT的方法，其特征在于，給定參數具體包括電壓的波動范圍。
5.根據權利要求4所述的一種在eMMC測試中精準注入VDT的方法，其特征在于，所述預先構建的函數包括，調整VCC和/或VCCQ至第一設定電壓并保持第一設定時間，之后調整VCC和/VCCQ至第二設定電壓并保持第二設定時間。
6.根據權利要求2所述的一種在eMMC測試中精準注入VDT的方法，其特征在于，還包括：
步驟S0，將eMMC的供電VCC設置為第一設定值，將eMMC的供電VCCQ設置為第二設定值，并對eMMC執行初始化。
7.根據權利要求2所述的一種在eMMC測試中精準注入VDT的方法，其特征在于，所述步驟S2中，注入VDT的命令通過IIC協議發送給PMIC，由PMIC執行。
8.一種存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行時實現如權利要求1至7任一項所述的一種在eMMC測試中精準注入VDT的方法中的各個步驟。
9.一種電子設備，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述計算機程序時實現如權利要求1至7任一項所述的一種在eMMC測試中精準注入VDT的方法中的各個步驟。
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