[發明專利]多模式薄膜傳感器的晶圓級集成方法及電子產品

在審

• 申請號: 202210474092.1
• 申請日: 2022-04-29
• 公開（公告）號: CN114910101A
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 王琛;張思勉;武逸飛;鄧曉楠;王宇祺
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G01D5/12
• 分類號: G01D5/12;B81C1/00;B81B7/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種多模式薄膜傳感器的晶圓級集成方法，其特征在于，包括：

提供晶圓(1)，在所述晶圓(1)上制備介質層(2)；

在所述晶圓(1)上制備硅通孔(11)，在所述硅通孔(11)中填充導電介質；

在所述晶圓(1)的未設置所述介質層(2)的一面設置背面絕緣層(3)；以及

在所述晶圓(1)的設置有介質層(2)的一面設置多個類型不同的敏感薄膜(7)和多個外接電極，多個所述外接電極通過所述硅通孔(11)在所述晶圓(1)的未設置所述介質層(2)的一面互聯。

2.根據權利要求1所述的多模式薄膜傳感器的晶圓級集成方法，其特征在于，所述集成方法包括：通過電鍍工藝在所述硅通孔(11)中設置導電介質，所述外接電極連接于所述硅通孔(11)。

3.根據權利要求1所述的多模式薄膜傳感器的晶圓級集成方法，其特征在于，所述集成方法包括：在所述晶圓(1)的未設置所述介質層(2)的一面設置引腳(9)。

4.根據權利要求3所述的多模式薄膜傳感器的晶圓級集成方法，其特征在于，所述外接電極通過所述硅通孔(11)連接于所述引腳(9)。

5.根據權利要求1所述的多模式薄膜傳感器的晶圓級集成方法，其特征在于，所述外接電極包括傳感電極(6)，所述敏感薄膜(7)連接于所述傳感電極(6)以實現傳感功能。

6.根據權利要求1所述的多模式薄膜傳感器的晶圓級集成方法，其特征在于，所述晶圓(1)的未設置所述介質層(2)的一面設置有驅動電路、控制電路、信號傳輸電路，多個所述外接電極共同連接于所述驅動電路、所述控制電路和所述信號傳輸電路中的至少一者。

7.根據權利要求1所述的多模式薄膜傳感器的晶圓級集成方法，其特征在于，所述介質層(2)包括氧化硅與氮化硅中的至少一者。

8.根據權利要求1所述的多模式薄膜傳感器的晶圓級集成方法，其特征在于，所述硅通孔(11)的直徑D滿足1μm≤D≤50μm，所述硅通孔(11)的深寬比為5：1至10：1。

9.根據權利要求1所述的多模式薄膜傳感器的晶圓級集成方法，其特征在于，通過光刻及刻蝕工藝圖案化所述外接電極，或通過光刻、金屬沉積及剝離工藝圖案化所述外接電極。

10.一種電子產品，其特征在于，所述電子產品包括通過權利要求1至9中任一項所述的多模式薄膜傳感器的晶圓級集成方法制造出的多模式薄膜傳感器。