[發明專利]一種提高平面硫化鎘靶材濺射膜厚均勻性的裝置及方法

在審

• 申請號: 202210473499.2
• 申請日: 2022-04-29
• 公開（公告）號: CN114908325A
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 鄭威;尚航;連重炎
• 申請（專利權）人: 宣城開盛新能源科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 南京匠橋專利代理有限公司 32568
• 代理人: 王冰冰

1.一種提高平面硫化鎘靶材濺射膜厚均勻性的裝置，包括四根平行且并列設置的平面硫化鎘靶材，分別為第一靶材、第二靶材、第三靶材和第四靶材，其特征在于，所述第一靶材和所述第二靶材的功率為1.5x～2.0x，各所述平面硫化鎘靶材的陰極磁場系統均包括：

第一磁鐵區域，包括多塊N極朝外且依次排列的第一永久磁鐵，

第二磁鐵區域，設置在所述第一磁鐵區域外圍，包括多塊S極朝外且依次排列構成環形的第二永久磁鐵；

所述第一磁鐵區域和所述第二磁鐵區域之間形成濺射跑道；

所述第三靶材中第一磁鐵區域以位于正中間的一個或兩個磁鐵處對應的濺射跑道位置的磁感應強度為基準，第一端的每一塊永久磁鐵的磁力遞增，使其對應的濺射跑道位置的磁感應強度依次按1％遞增，第二端的每一塊永久磁鐵的磁力遞減，使其對應的濺射跑道位置的磁感應強度依次按1％遞減，且所述第三靶材的功率為為0.7x-1.3x；

所述第四靶材中第一磁鐵區域以位于正中間的一個或兩個磁鐵處對應的濺射跑道位置的磁感應強度為基準，第二端的每一塊永久磁鐵的磁感應強度遞增，使其對應的濺射跑道位置的磁感應強度依次按1％遞增，第一端的每一塊永久磁鐵的磁感應強度遞減，使其對應的濺射跑道位置的磁感應強度依次按1％遞減，且所述第四靶材的功率為0.7x～1.3x。

2.根據權利要求1所述的提高平面硫化鎘靶材濺射膜厚均勻性的裝置，其特征在于，所述第一永久磁鐵的數量為四十個，所述第三靶材和所述第四靶材中第一磁鐵區域均以位于正中間的第十九個和第二十個磁鐵處對應的濺射跑道位置的磁感應強度為基準。

3.根據權利要求2所述的提高平面硫化鎘靶材濺射膜厚均勻性的裝置，其特征在于，所述第三靶材中，第十九個和第二十個磁鐵處對應的濺射跑道位置的磁感應強度為1000Gs。

4.根據權利要求1所述的提高平面硫化鎘靶材濺射膜厚均勻性的裝置，其特征在于，所述第二永久磁鐵的數量為九十四個。

5.一種提高平面硫化鎘靶材濺射膜厚均勻性的方法，基于四根平行且并列設置的平面硫化鎘靶材，分別為第一靶材、第二靶材、第三靶材和第四靶材，其特征在于，所述第一靶材和所述第二靶材的功率均為1.5x～2.0x，所述第三靶材和所述第四靶材的功率為1.0x，各所述平面硫化鎘靶材的陰極磁場系統均包括：

第一磁鐵區域，包括多塊N極朝外且依次排列的第一永久磁鐵，

第二磁鐵區域，設置在所述第一磁鐵區域外圍，包括多塊S極朝外且依次排列構成環形的第二永久磁鐵；

所述第一磁鐵區域和所述第二磁鐵區域之間形成濺射跑道；

所述方法包括：

將所述第一靶材和所述第二靶材的功率設置為相同；

調節所述第三靶材中第一磁鐵區域內的各磁鐵的磁力，以位于正中間的一個或兩個磁鐵處對應的濺射跑道位置的磁感應強度為基準，沿第一端將每一塊永久磁鐵的磁力遞增，使其對應的濺射跑道位置的磁感應強度依次按1％遞增，沿第二端將每一塊永久磁鐵的磁力遞減，使其對應的濺射跑道位置的磁感應強度依次按1％遞減；

調節所述第四靶材中第一磁鐵區域內的各磁鐵的磁力，以位于正中間的一個或兩個磁鐵處對應的濺射跑道位置的磁感應強度為基準，沿第二端將每一塊永久磁鐵的磁力遞增，使其對應的濺射跑道位置的磁感應強度依次按1％遞增，沿第二端將每一塊永久磁鐵的磁力遞減，使其對應的濺射跑道位置的磁感應強度依次按1％遞減；

根據濺射膜厚差異情況，將第三靶材和/或第四靶材的功率提高0～30％或降低0～30％。

6.根據權利要求5所述的提高平面硫化鎘靶材濺射膜厚均勻性的方法，其特征在于，所述根據濺射膜厚差異情況，將第三靶材和/或第四靶材的功率提高0～30％或降低0～30％包括：

根據濺射膜厚差異情況，若第一端處膜厚較大，則將第三靶材的功率降低0～30％，若第一端處膜厚較小，則將第三靶材的功率提高0～30％；

根據濺射膜厚差異情況，若第二端處膜厚較大，則將第四靶材的功率降低0～30％，若第二端處膜厚較小，則將第四靶材的功率提高0～30％。

7.根據權利要求5所述的提高平面硫化鎘靶材濺射膜厚均勻性的方法，其特征在于，所述方法還包括：

適應性調節所述第一靶材和所述第二靶材的功率，使裝置的總功率在原總功率的基礎上保持不變。