[發明專利]精確測量低二次電子發射系數材料最薄貢獻厚度的方法

有效

• 申請號: 202210473415.5
• 申請日: 2022-04-29
• 公開（公告）號: CN114908332B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 王玉漫;劉術林;孫志嘉;閆保軍;周健榮;衡月昆;蔣興奮;張斌婷;韋雯露;姚文靜;彭華興;譚金昊
• 申請（專利權）人: 散裂中子源科學中心;中國科學院高能物理研究所
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/455;G01B21/08;G01N23/2202
• 代理公司: 廣東眾達律師事務所 44431
• 代理人: 張雪華

1.精確測量低二次電子發射系數材料最薄貢獻厚度的方法，其特征在于：所述的方法包括如下步驟：

S1、首先選擇比目標材料二次電子發射系數高的材料作為襯底，并超過其最薄貢獻厚度；

S2、先將襯底放入原子層沉積設備中的反應腔室，進行不同循環次數的目標材料的沉積，制得樣品；

S3、然后將樣品放入二次電子測試系統中測量；

S4、獲得循環數和二次電子發射產額的對應關系，確定最少循環數；

S5、最后在硅襯底上生長最少循環次數的目標材料，進行薄膜厚度測量；

其中所述最少循環次數是通過循環次數和二次電子發射產額的對應關系圖獲得，鄰近循環數的二次電子發射產額差值第一次出現在0.3范圍內，這兩個鄰近循環數中最小即可認定為最少循環次數。

2.如權利要求1所述的精確測量低二次電子發射系數材料最薄貢獻厚度的方法，其特征在于：所述的薄膜厚度測量通過橢偏儀測量。

3.如權利要求1所述的精確測量低二次電子發射系數材料最薄貢獻厚度的方法，其特征在于：所述的比目標材料二次電子發射系數高的材料作為襯底，并超過其最薄貢獻厚度，即當目標材料為Cu、ZnO、B₂O₃二次電子發射系數為2時，超過8nm的Al₂O₃二次電子發射系數為4，超過20nm的MgO二次電子發射系數為8，此時選擇超過20nm的MgO或超過8nm的Al₂O₃作為襯底，當目標材料為Al₂O₃時，選擇超過20nm的MgO作為襯底。

4.如權利要求3所述的精確測量低二次電子發射系數材料最薄貢獻厚度的方法，其特征在于：所述超過20nm的MgO，通過Mg(Cp)₂和水蒸氣反應生成，將Mg(Cp)₂加熱到50～80℃，反應腔室溫度為200℃，原子層沉積技術生長一層MgO原子層的循環通氣時間和順序:Mg(Cp)₂/N₂/H₂O/N₂＝150ms/4s/150ms/4s，上述過程循環180次以上。

5.如權利要求3所述的精確測量低二次電子發射系數材料最薄貢獻厚度的方法，其特征在于：所述超過8nm的Al₂O₃，通過三甲基鋁TMA和水蒸氣反應生成，反應腔室溫度為200℃，原子層沉積生長一層Al₂O₃原子層的循環通氣時間和順序：TMA/N₂/H₂O/N₂＝150ms/4s/150ms/4s，上述過程循環50次以上。