[發明專利]一種多層陶瓷電容器用Mg-Ta基介質陶瓷及其低溫制備方法有效
| 申請號: | 202210472764.5 | 申請日: | 2022-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN114773060B | 公開(公告)日: | 2023-04-28 |
| 發明(設計)人: | 曲明山;邢孟江;楊鴻宇;喬峰 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | C04B35/495 | 分類號: | C04B35/495;C04B35/622;C04B35/638;H01G4/12 |
| 代理公司: | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人: | 閆樹平 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多層 陶瓷 電容 器用 mg ta 介質 及其 低溫 制備 方法 | ||
1.一種多層陶瓷電容器用Mg-Ta基介質陶瓷,由陶瓷材料和改性劑組成;其特征在于:
陶瓷材料化學通式為MgTa2O6;
改性劑的配方為A2CO3-BO-C2O3-SiO2,質量比為31:?17:?36:?16,其中A2CO3由20?wt.?%的Li2CO3與11?wt.?%的K2CO3組成;BO由2?wt.?%的BaO與5?wt.?%的MnO以及10?wt.?%的CuO組成;C2O3由30?wt.?%的B2O3與6?wt.?%的Al2O3組成;
該介質陶瓷的配方為MgTa2O6?+?2wt.?%?改性劑,由固相法制備獲得,其主晶相為Tri-rutile結構MgTa2O6相,在1150oC燒結溫度下材料的介電常數為26.87,介質損耗為1.71×10-4,Q×f值為44398?GHz,介電常數溫度系數穩定且滿足M2G溫度特性,-55oC:τε=-118ppm/oC;85?oC:τε=-110?ppm/oC;
所述多層陶瓷電容器用Mg-Ta基介質陶瓷采用以下步驟制得:
步驟1:將MgO、Ta2O5的原始粉料按照化學通式MgTa2O6進行配料;
步驟2:將步驟1配好的粉體裝入球磨罐,選擇鋯球以及去離子水為研磨介質,并按照粉體:鋯球:去離子水的質量比為1:4~5:2~4進行4~6小時的行星球磨,待球磨結束后將混合漿料置于烘箱中烘干,隨后以60~100目的篩網過篩;將過篩后的粉體于900~1000℃的大氣氣氛中預燒3~5小時;
步驟3:將Li2CO3、K2CO3、BaO、MnO、CuO、B2O3、Al2O3和SiO2的原始粉料分別按照質量比為20:?11:?2:?5:?10:?30:?6:?16進行配料,隨后以鋯球及酒精作為研磨介質,并按照粉料:鋯球:酒精的質量比為1:4~5:4~6進行行星球磨6~8小時,待球磨后的物料烘干后,將其于600~650oC下預燒3~6小時,隨后升溫至1450~1550oC熔融3~5小時,將熔融后的玻璃快速倒入去離子水中冷卻,將冷卻后的玻璃料研磨成均勻細粉獲得改性劑;
步驟4:將步驟3制備獲得的改性劑按照MgTa2O6?+?2wt.?%改性劑的配方加入步驟2的MgTa2O6預燒料中,并再次按照粉體:鋯球:去離子水質量比為1:4~5:3~5進行3~5小時的行星球磨,待球磨物料烘干后,向其中的粉體添加聚乙烯醇溶液作為粘結劑造粒;
步驟5:將步驟4制得的粒料壓制成型,隨后以2~5oC/min的升溫速率在600~650℃溫度下排膠3~5小時,再以相同速率升溫至1150?oC保溫4~6小時,制得改性后的MgTa2O6介質陶瓷材料。
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