[發(fā)明專利]一種具有測(cè)溫功能的雙面散熱功率半導(dǎo)體模塊總成

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210469828.6
• 申請(qǐng)日: 2022-04-30
• 公開（公告）號(hào): CN115084054A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鐘華;劉志強(qiáng);趙慧超;王斯博;王宇;文彥東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國第一汽車股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/367
• 分類號(hào): H01L23/367;H01L23/473;H01L23/373;H01L23/48;H01L23/06;G01K7/01
• 代理公司: 哈爾濱市陽光惠遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 23211
• 代理人: 劉景祥

1.一種具有測(cè)溫功能的雙面散熱功率半導(dǎo)體模塊總成，其特征在于，包括：第一功率端子(1)、第二功率端子(2)、冷卻器(3)、雙面敷銅基板(4)、散熱銅板(5)、測(cè)溫電阻(6)、半導(dǎo)體芯片(7)、敷銅基板(8)、綁定線(9)和信號(hào)端子(10)；

所述冷卻器(3)上表面與所述雙面敷銅基板(4)連接，所述雙面敷銅基板(4)上表面與所述半導(dǎo)體芯片(7)和所述第二功率端子(2)連接，所述半導(dǎo)體芯片(7)上表面與所述散熱銅板(5)連接，所述散熱銅板(5)上表面與所述敷銅基板(8)和所述第一功率端子(1)連接，所述敷銅基板(8)上表面與所述測(cè)溫電阻(6)連接，所述綁定線(9)將所述測(cè)溫電阻(6)和半導(dǎo)體芯片(7)的電氣信號(hào)引出至所述敷銅基板(8)上，所述雙面敷銅基板(4)上表面還與所述信號(hào)端子(10)連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊總成，其特征在于，所述敷銅基板(4)上表面共設(shè)置4個(gè)所述信號(hào)端子(10)，4個(gè)所述信號(hào)端子(10)分別為第一信號(hào)端子(10-1)、第二信號(hào)端子(10-2)、第三信號(hào)端子(10-3)和第四信號(hào)端子(10-4)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊總成，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片(7)個(gè)數(shù)根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)置，當(dāng)個(gè)數(shù)為2顆以上時(shí)，多顆所述半導(dǎo)體芯片(7)需并聯(lián)設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體模塊總成，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片(7)為絕緣柵雙極型晶體管，所述第一功率端子(1)與絕緣柵雙極型晶體管IGBT的集電極連接，所述第二功率端子(2)與絕緣柵雙極型晶體管的發(fā)射極連接，所述第三信號(hào)端子(10-3)與絕緣柵雙極型晶體管的門極連接，所述第四信號(hào)端子(10-4)與絕緣柵雙極型晶體管的發(fā)射極連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體模塊總成，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片(7)為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，所述第一功率端子(1)與金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極連接，所述第二功率端子(2)與金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極連接，所述第三信號(hào)端子(10-3)與金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極連接，所述第四信號(hào)端子(10-4)與金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊總成，其特征在于，還包括第一外界功率端子(15)和第二外界功率端子(16)，所述第一外界功率端子(15)與所述第一功率端子(1)連接，所述第二外界功率端子(16)與銅排(17)一端連接，所述銅排(17)另一端與所述第二功率端子(2)連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體模塊總成，其特征在于，所述第一功率端子(1)的長度和所述第二功率端子(2)的長度不同，且第一外界功率端子(15)的長度和所述第二外界功率端子(16)的長度也不同。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體模塊總成，其特征在于，所述第一功率端子(1)長度短于所述第二功率端子(2)的長度，且第一外界功率端子(15)的長度短于所述第二外界功率端子(16)的長度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊總成，其特征在于，還包括散熱器(12)、絕緣墊片(14)；所述散熱器(12)與所述敷銅基板(8)連接，所述絕緣墊片(14)位于所述第一功率端子(1)和所述第二功率端子(2)之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊總成，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片(7)下表面銀燒到所述雙面敷銅基板(4)上，所述半導(dǎo)體芯片(7)上表面焊接在所述散熱銅板(5)下表面。