[發(fā)明專利]一種顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210469335.2 | 申請日: | 2022-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN114883365A | 公開(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉生澤;阮崇鵬;鄭輝;張春鵬;鮮于文旭 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 孟霞 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括襯底基板和設(shè)置于所述襯底基板上的顯示功能層,所述顯示功能層包括陣列設(shè)置的多個像素單元和位于所述像素單元之間的第一透光孔;
其中,所述顯示面板還包括設(shè)置于所述襯底基板和所述顯示功能層之間的傳感器功能層,所述傳感器功能層包括陣列設(shè)置的多個傳感器單元和位于所述傳感器單元之間的第二透光孔,所述第二透光孔與所述第一透光孔對應(yīng)設(shè)置,每個所述傳感器單元包括至少一個薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括有源層、第一電極、控制電極和第二電極,其中,所述有源層在所述襯底基板上的垂直投影,與所述第一電極、所述控制電極和所述第二電極在所述襯底基板上的垂直投影不重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述有源層設(shè)置于所述襯底基板上,所述第一電極、所述控制電極和所述第二電極在所述襯底基板上依次層疊設(shè)置,且在一所述薄膜晶體管中,所述第一電極、所述控制電極和所述第二電極均位于所述有源層垂直于所述襯底基板的同一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,在一所述薄膜晶體管中,所述第二電極覆蓋所述控制電極,并與所述第一電極相重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,在一所述薄膜晶體管中,所述第一電極朝向所述襯底基板的一側(cè)的表面,與所述有源層朝向所述襯底基板的一側(cè)的表面相齊平;所述第二電極背離所述襯底基板的一側(cè)的表面,與所述有源層背離所述襯底基板的一側(cè)的表面相齊平。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述薄膜晶體管為光敏薄膜晶體管,所述有源層背離所述第一電極、所述控制電極和所述第二電極的一側(cè)的表面為所述薄膜晶體管的感光區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述有源層背離所述第一電極、所述控制電極和所述第二電極的一側(cè)的表面設(shè)置有透明保護層。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,每個所述傳感器單元包括多個所述薄膜晶體管,其中,在一所述傳感器單元中,多個所述薄膜晶體管的各個所述有源層相對設(shè)置,且多個所述薄膜晶體管共用同一第一電極、同一控制電極和同一第二電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括設(shè)置于所述顯示功能層上的封裝層,其中,所述第一透光孔與所述第二透光孔相連通,所述封裝層填充于所述第一透光孔和所述第二透光孔內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括設(shè)置于所述顯示功能層上的封裝層,以及設(shè)置于所述顯示功能層和傳感器功能層之間的復(fù)合絕緣層,所述封裝層填充于所述第一透光孔內(nèi),所述復(fù)合絕緣層填充于所述第二透光孔內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括第一子板和陣列設(shè)置于所述第一子板上的多個第二子板,所述第一子板和所述第二子板之間設(shè)置有光學膠層,其中,所述第一子板包括依次層疊設(shè)置的所述襯底基板、所述傳感器功能層和所述復(fù)合絕緣層,每個所述第二子板包括依次層疊設(shè)置的背板、驅(qū)動電路層、所述顯示功能層和所述封裝層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





