[發(fā)明專利]磁控管裝置及磁控濺射設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210467364.5 | 申請日: | 2022-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN114774872B | 公開(公告)日: | 2023-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 郭浩;王厚工;李冬冬;佘清;楊玉杰;劉學(xué)濱 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315 | 代理人: | 蘭天爵 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁控管 裝置 磁控濺射 設(shè)備 | ||
1.一種磁控管裝置,用于作用靶材組件而濺射粒子,其特征在于,所述磁控管裝置包括第一磁控管、第二磁控管和第一驅(qū)動機構(gòu),其中:
所述第一驅(qū)動機構(gòu)與所述第一磁控管和所述第二磁控管均相連,所述第一驅(qū)動機構(gòu)用于驅(qū)動所述第一磁控管和所述第二磁控管移動而使其中一者靠近所述靶材組件、且另一者遠離所述靶材組件;
在所述第一磁控管靠近所述靶材組件的情況下,所述第一磁控管與所述靶材組件的環(huán)帶區(qū)域?qū)?yīng)布置,所述第一磁控管能夠在工藝空間中對應(yīng)所述靶材組件的環(huán)帶區(qū)域的區(qū)域內(nèi)聚集等離子體,以實現(xiàn)所述靶材組件的粒子濺射;在所述第二磁控管靠近所述靶材組件的情況下,所述第二磁控管與所述靶材組件的中部區(qū)域?qū)?yīng)布置,所述第二磁控管能夠在工藝空間中對應(yīng)所述靶材組件的中部區(qū)域的區(qū)域內(nèi)聚集等離子體,以轟擊沉積在所述靶材組件的中部區(qū)域上的粒子,從而清洗所述靶材組件的中部區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管裝置,其特征在于,所述第一驅(qū)動機構(gòu)包括第一限位組件和第二限位組件,所述第一限位組件可與所述第一磁控管限位配合,以限制所述第一磁控管的移動行程,所述第二限位組件可與所述第二磁控管限位配合,以限制所述第二磁控管的移動行程;
在所述第一限位組件與所述第一磁控管限位配合、且所述第二限位組件與所述第二磁控管限位配合的情況下,所述第一驅(qū)動機構(gòu)可驅(qū)動第一磁控管和所述第二磁控管圍繞所述靶材組件的中軸線轉(zhuǎn)動。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控管裝置,其特征在于,所述第一驅(qū)動機構(gòu)還包括第一驅(qū)動裝置、第一傳動組件和第二傳動組件,所述第一傳動組件與所述第一磁控管相連,所述第二傳動組件與所述第二磁控管相連,所述第一驅(qū)動裝置用于同步驅(qū)動所述第一傳動組件和所述第二傳動組件,以帶動所述第一磁控管和所述第二磁控管移動。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁控管裝置,其特征在于,所述第一傳動組件包括第一傳動件和第一絲桿,所述第一絲桿穿設(shè)于所述第一傳動件且二者螺紋配合,所述第一絲桿與所述第一磁控管相連;所述第二傳動組件包括第二傳動件和第二絲桿,所述第二絲桿穿設(shè)于所述第二傳動件且二者螺紋配合,所述第二絲桿與所述第二磁控管相連;
所述第一驅(qū)動裝置用于同步驅(qū)動所述第一傳動件和所述第二傳動件轉(zhuǎn)動,所述第一絲桿隨所述第一傳動件的轉(zhuǎn)動而沿其軸向移動,所述第二絲桿隨所述第二傳動件的轉(zhuǎn)動而沿其軸向移動,且所述第一傳動件和所述第二傳動件的旋向相反,以帶動所述第一磁控管和所述第二磁控管反向移動。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控管裝置,其特征在于,所述第一傳動件包括設(shè)于其外周面的第一齒輪,所述第二傳動件包括設(shè)于其外周面的第二齒輪;
所述第一驅(qū)動機構(gòu)還包括反向同步組件,所述反向同步組件包括相嚙合的第三齒輪和第四齒輪,且所述第三齒輪與所述第一齒輪相嚙合,所述第四齒輪與所述第二齒輪相嚙合;所述第一驅(qū)動裝置用于驅(qū)動所述第三齒輪或所述第四齒輪。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控管裝置,其特征在于,所述第一限位組件包括沿所述第一絲桿的軸向間隔排布的第一限位塊和第二限位塊,所述第一絲桿包括設(shè)于其頂端的第一限位部,所述第一絲桿穿設(shè)于所述第二限位塊,所述第一限位部位于所述第一限位塊與所述第二限位塊之間,且沿所述第一絲桿的軸向,所述第一限位部可與所述第一限位塊或所述第二限位塊限位配合;
所述第二限位組件包括沿所述第二絲桿的軸向間隔排布的第三限位塊和第四限位塊,所述第二絲桿包括設(shè)于其頂端的第二限位部,所述第二絲桿穿設(shè)于所述第四限位塊,所述第二限位部位于所述第三限位塊與所述第四限位塊之間,且沿所述第二絲桿的軸向,所述第二限位部可與所述第三限位塊或所述第四限位塊限位配合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁控管裝置,其特征在于,所述第一絲桿與所述第二限位塊鍵配合,以對所述第一絲桿進行周向限位;所述第二絲桿與所述第四限位塊鍵配合,以對所述第二絲桿進行周向限位。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁控管裝置,其特征在于,所述第一驅(qū)動機構(gòu)還包括箱體,所述第一傳動組件、所述第二傳動組件、所述第一限位組件和所述第二限位組件均設(shè)于所述箱體內(nèi)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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