[發明專利]FRD器件結構制作方法

在審

• 申請號: 202210467211.0
• 申請日: 2022-04-29
• 公開（公告）號: CN114823921A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 程煒濤;姚陽
• 申請（專利權）人: 上海埃積半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/868
• 分類號: H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 上海碩力知識產權代理事務所(普通合伙) 31251
• 代理人: 劉桂芝

1.一種FRD器件結構，其特征在于，包括：第一N區域、P+區域、N+復合區域、正面陽極金屬區域、背面陰極金屬區域；所述第一N區域包括第一N+區域和第一N-區域；所述第一N-區域，位于所述第一N+區域上方；

所述P+區域，位于所述第一N-區域上；

所述N+復合區域，位于所述第一N-區域內；

所述正面陽極金屬區域，位于所述P+區域上；

所述背面陰極金屬區域，位于所述第一N+區域下。

2.根據權利要求1所述的FRD器件結構，其特征在于：

當所述第一N-區域為在所述第一N+區域上外延生長的第一N-區域時，所述第一N+區域作為基底，所述第一N-區域作為外延區。

3.根據權利要求1所述的FRD器件結構，其特征在于：

當所述第一N-區域為基底時，對所述第一N-區域進行背面離子注入、退火形成第一N+區域。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的FRD器件結構，其特征在于：

其中，所述N+復合區域的摻雜濃度大于所述第一N-區域，當器件導通時，所述N+復合區域用于復合正面注入的空穴載流子。

5.根據權利要求4所述的FRD器件結構，其特征在于：

其中，所述P+區域與所述正面陽極金屬區域形成歐姆接觸，所述背面陰極金屬區域與所述第一N+區域形成歐姆接觸。

6.一種FRD器件結構的制作方法，其特征在于，包括：

在FRD器件結構的第一N區域上制作P+區域；

通過正面涂膠、掩膜、顯影、光刻，在預設圖形區高能注入磷離子、熱擴散形成N+復合區域；

在所述FRD器件結構的正面沉積絕緣介質層，通過涂膠、掩膜、顯影、光刻、刻蝕絕緣介質層形成孔開口；

對所述FRD器件結構進行正面金屬濺射或蒸金形成正面金屬陽極區域；

對所述FRD器件結構進行背面金屬濺射或蒸金形成背面陰極金屬區域；

其中，所述第一N區域包括第一N+區域和第一N-區域。

7.根據權利要求6所述的FRD器件結構的制作方法，其特征在于，在所述在FRD器件結構的第一N區域上制作P+區域之前，還包括：

在所述第一N+區域上外延生長所述第一N-區域；

其中，所述第一N+區域作為基底，所述第一N-區域作為外延區。

8.根據權利要求7所述的FRD器件結構的制作方法，其特征在于，所述在FRD器件結構的第一N區域上制作P+區域，包括：

在所述第一N-區域進行正面涂膠、掩膜、顯影、光刻、離子注入、熱擴散形成所述P+區域。

9.根據權利要求6所述的FRD器件結構的制作方法，其特征在于，所述在FRD器件結構的第一N區域上制作P+區域，包括：

在所述第一N-區域進行正面涂膠、掩膜、顯影、光刻、離子注入、熱擴散形成所述P+區域；

其中，所述第一N-區域作為基底。

10.根據權利要求9所述的FRD器件結構的制作方法，其特征在于，在對所述FRD器件結構進行背面金屬濺射或蒸金形成背面陰極金屬區域之前，還包括：

在所述第一N-區域進行背面離子注入、退火，形成所述第一N+區域；

其中，所述第一N-區域作為基底，所述第一N+區域通過對第一N-區域進行背面離子注入、退火形成。