[發明專利]顯示基板、封裝基板和顯示裝置在審
| 申請號: | 202210461810.1 | 申請日: | 2022-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN114823772A | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發明(設計)人: | 王燦;曲燕;玄明花;王明星;梁軒;王飛;董學;齊琪;楊明坤 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/58 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 封裝 顯示裝置 | ||
公開一種顯示基板、封裝基板和顯示裝置,涉及顯示技術領域。該顯示基板包括:驅動背板,以及位于驅動背板一側的發光器件層。其中,發光器件層包括:多個發光單元;多個透明電極,位于多個發光單元遠離驅動背板的表面,且與多個發光單元電連接;第一鍵合圖案,至少位于多個透明電極之間;第一鍵合圖案與至少一個透明電極電連接。本公開提供的顯示基板,通過第一鍵合圖案與多個透明電極連接,實現多個發光單元的電連接,與相關技術中,多個發光單元之間通過透明材料實現電連接相比,降低了電阻,達到降低壓降,提升發光單元的發光效率,降低功耗,提高顯示基板的顯示性能等目的。
技術領域
本公開涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示基板、封裝基板和顯示裝置。
背景技術
發光二極管(Light Emitting Diode,簡稱LED)是一種能夠將電能轉換成特定波長范圍的光的半導體元件。發光二極管的發光原理是電子和空穴復合發光。
發光二極管具有低功耗、尺寸小、亮度高、易與集成電路匹配及可靠性高等優點,目前常作為光源被廣泛應用。隨著LED技術的成熟,直接使用LED作為亞像素的LED顯示裝置或Micro-LED(微型LED)顯示裝置逐漸發展起來。
但是,現有的LED顯示裝置的功耗較高。
發明內容
本公開的目的在于提供一種顯示基板、封裝基板和顯示裝置,用于降低LED顯示裝置的功耗。
為了實現上述目的,本公開提供如下技術方案:
一方面,本公開的一些實施例提供了一種顯示基板。該顯示基板包括:驅動背板,以及位于所述驅動背板一側的發光器件層。其中,所述發光器件層包括:多個發光單元;多個透明電極,位于所述多個發光單元遠離所述驅動背板的表面,且與所述多個發光單元電連接;第一鍵合圖案,至少位于所述多個透明電極之間;所述第一鍵合圖案與至少一個透明電極電連接。
在一些實施例中,所述第一鍵合圖案還位于所述多個透明電極的周圍。
在一些實施例中,所述第一鍵合圖案包括多個網孔,一個網孔內設置有至少一個所述透明電極,且位于該網孔內的所述透明電極與所述網孔的孔壁電連接。
在一些實施例中,所述第一鍵合圖案包括疊置的第一圖案層和第二圖案層,所述第二圖案層位于所述第一圖案層遠離所述驅動背板的一側。
在一些實施例中,所述第一圖案層的材料包括第一金屬材料,所述第二圖案層的材料包括第二金屬材料;所述第一金屬材料的熔點高于所述第二金屬材料的熔點。
在一些實施例中,所述第二圖案層的尺寸大于所述第一圖案層的尺寸。
在一些實施例中,所述發光單元包括:至少兩個疊置的垂直型發光二極管;以及,位于兩個所述垂直型發光二極管之間的連接層;其中,所述垂直型發光二極管包括:N型半導體層、量子阱層以及P型半導體層;相鄰的兩個疊置的垂直型發光二極管中,一個垂直型發光二極管的N型半導體層和另一個垂直型發光二極管的P型半導體層通過所述連接層電連接。
在一些實施例中,該顯示基板還包括:反射電極層,位于所述垂直型發光二極管和所述驅動背板之間。
在一些實施例中,該顯示基板還包括:絕緣結構,位于所述多個發光單元之間,且位于所述第一鍵合圖案和所述驅動背板之間。
再一方面,本公開實施例提供一種封裝基板。該封裝基板包括:基底;電極連接層,位于所述基底的一側;以及,第二鍵合圖案,位于所述電極連接層遠離所述基底的一側,且暴露出至少部分所述電極連接層。
在一些實施例中,所述第二鍵合圖案包括第三圖案層和第四圖案層,所述第三圖案層位于所述第四圖案層遠離所述基底的一側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





