[發明專利]三維存儲器的制作方法、三維存儲器及存儲系統

在審

• 申請號: 202210459265.2
• 申請日: 2022-04-27
• 公開（公告）號: CN114759039A
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發明（設計）人: 肖亮
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L27/11568;H01L27/11573
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李莎

本發明公開了一種三維存儲器的制作方法、三維存儲器及存儲系統。所述三維存儲器包括核心區和外圍區，所述方法包括：提供停止層，位于所述停止層上的堆棧層，以及位于所述核心區并貫穿所述堆棧層和所述停止層的溝道結構；在所述外圍區形成貫穿所述停止層的外圍觸點；在所述停止層背離所述堆棧層的一側形成覆蓋并電性連接所述存儲溝道結構的共源極層，并使所述共源極層背離所述堆棧層一側的表面與所述外圍觸點背離所述堆棧層一側的表面平齊；在所述外圍觸點背離所述堆棧層的一側形成與所述外圍觸點連接的外圍引出點，以及在所述共源極層背離所述堆棧層的一側形成與所述共源極層連接的共源極引出點。本發明能夠簡化制作工藝，降低成本。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種三維存儲器的制作方法、三維存儲器及存儲系統。

背景技術

目前，三維存儲器中連接外圍觸點的外圍引出點與連接共源極層的共源極引出點的高度不同，使得在形成外圍引出點和共源極引出點時，需要采用兩個掩膜版來分別制作，導致制作工藝較為復雜，成本較高。

發明內容

本發明提供一種三維存儲器的制作方法、三維存儲器及存儲系統，能夠簡化制作工藝，降低成本。

本發明提供了一種三維存儲器的制作方法，所述三維存儲器包括核心區和外圍區，所述方法包括：

提供停止層，位于所述停止層上的堆棧層，以及位于所述核心區并貫穿所述堆棧層和所述停止層的溝道結構；

在所述外圍區形成貫穿所述停止層的外圍觸點；

在所述停止層背離所述堆棧層的一側形成覆蓋并電性連接所述溝道結構的共源極層，并使所述共源極層背離所述堆棧層一側的表面與所述外圍觸點背離所述堆棧層一側的表面平齊；

在所述外圍觸點背離所述堆棧層的一側形成與所述外圍觸點連接的外圍引出點，以及在所述共源極層背離所述堆棧層的一側形成與所述共源極層連接的共源極引出點。

可選地，所述方法還包括：

提供基底，所述停止層位于所述基底上，所述溝道結構貫穿所述堆棧層和所述停止層并延伸至所述基底內，所述外圍觸點貫穿所述停止層并延伸至所述基底內；

所述在所述停止層背離所述堆棧層的一側形成覆蓋并電性連接所述溝道結構的共源極層，并使所述共源極層背離所述堆棧層一側的表面與所述外圍觸點背離所述堆棧層一側的表面平齊的步驟，包括：

至少去除所述核心區的基底；

在剩余基底背離所述停止層的一側形成共源極層，且所述共源極層覆蓋并電性連接所述溝道結構；

對所述共源極層和所述外圍觸點進行平坦化處理，使處理后的共源極層背離所述堆棧層一側的表面與處理后的外圍觸點背離所述堆棧層一側的表面平齊。

可選地，所述基底包括依次設置的襯底、絕緣層、犧牲層和阻擋層，所述停止層位于所述阻擋層上；

所述溝道結構貫穿所述堆棧層、所述停止層和所述阻擋層并延伸至所述犧牲層內，所述外圍觸點貫穿所述停止層、所述阻擋層和所述犧牲層并延伸至所述絕緣層內或所述襯底內。

可選地，所述至少去除所述核心區的基底的步驟，包括：

至少去除所述核心區的襯底；

去除所述核心區的絕緣層；

去除所述核心區的犧牲層；

去除所述核心區的阻擋層。

可選地，在所述外圍區的襯底和所述外圍區的絕緣層被完全去除時，所述共源極層位于剩余犧牲層背離所述停止層的一側，且覆蓋并電性連接所述溝道結構；