[發(fā)明專利]一種基于雙向MOSFET開(kāi)關(guān)的補(bǔ)償變壓器投切電路及控制方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210452570.9
• 申請(qǐng)日: 2022-04-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114640333A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉寶泉;陳鵬宇;韓猛;李潤(rùn)琦
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 陜西科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H03K17/687
• 分類號(hào): H03K17/687;H02J3/14
• 代理公司: 北京中巡通大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11703
• 代理人: 郭瑤

1.一種基于雙向MOSFET開(kāi)關(guān)的補(bǔ)償變壓器投切電路，其特征在于，包括雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₁、雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₂、雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₃、雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₄和雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₅，所述雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₁的第一端與主回路相線連接，第二端與雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₃的第一端以及補(bǔ)償變壓器T的原邊異名端連接，所述雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₃的第二端與N線連接；所述雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₂的第一端與主回路相線連接，第二端與雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₄的第一端以及補(bǔ)償變壓器T的原邊同名端連接，雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₄的第二端與N線連接；所述雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₅兩端分別與補(bǔ)償變壓器T的原邊同名端和異名端連接；

所述雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₁由兩個(gè)N溝道的MOSFET VT₁與MOSFET VT₂共源極連接構(gòu)成，雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₂由兩個(gè)N溝道的MOSFET VT₃與MOSFET VT₄共源極連接構(gòu)成，雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₃由兩個(gè)N溝道的MOSFET VT₅與MOSFET VT₆共源極連接構(gòu)成，雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₄由兩個(gè)N溝道的MOSFET VT₇與MOSFET VT₈共源極連接構(gòu)成，雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₅由兩個(gè)N溝道的MOSFET VT₉與MOSFET VT₁₀共源極連接構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙向MOSFET開(kāi)關(guān)的補(bǔ)償變壓器投切電路，其特征在于，所述雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₁、雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₂、雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₃、雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₄和雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₅均安裝在鋁基板上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于雙向MOSFET開(kāi)關(guān)的補(bǔ)償變壓器投切電路，其特征在于，所述鋁基板的鋁基層外側(cè)固定有散熱器。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙向MOSFET開(kāi)關(guān)的補(bǔ)償變壓器投切電路，其特征在于，構(gòu)成雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₁、雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₂、雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₃、雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₄和雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₅的MOSFET的最大導(dǎo)通電壓等級(jí)為450V、500V、600V或650V。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙向MOSFET開(kāi)關(guān)的補(bǔ)償變壓器投切電路，其特征在于，構(gòu)成雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₁、雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₂、雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₃、雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₄和雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₅的MOSFET的最大導(dǎo)通電流大于1.5～2倍的補(bǔ)償變壓器原邊工作電流峰值。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙向MOSFET開(kāi)關(guān)的補(bǔ)償變壓器投切電路，其特征在于，構(gòu)成雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₁、雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₂、雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₃、雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₄和雙向MOSFET開(kāi)關(guān)S₅的MOSFET的內(nèi)阻數(shù)值小于等于0.05Ω。