[發(fā)明專利]用于源極/漏極外延區(qū)的靈活合并方案

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210448602.8
• 申請日: 2017-11-20
• 公開（公告）號(hào): CN114823542A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李凱璿;游佳達(dá);楊正宇;王圣禎;楊世海;楊豐誠;陳燕銘
• 申請（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8244
• 分類號(hào): H01L21/8244;H01L21/336;H01L29/10
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

形成在第一器件區(qū)中的第一半導(dǎo)體鰭的頂面和側(cè)壁上延伸的第一柵極堆疊件，其中，所述第一半導(dǎo)體鰭彼此平行且相鄰；

形成在第二器件區(qū)中的第二半導(dǎo)體鰭的頂面和側(cè)壁上延伸的第二柵極堆疊件，其中，所述第二半導(dǎo)體鰭彼此平行且相鄰；

形成介電層，其中，所述介電層包括在所述第一柵極堆疊件、所述第一半導(dǎo)體鰭上延伸的第一部分，在所述第二柵極堆疊件和所述第二半導(dǎo)體鰭上延伸的第二部分；

在第一蝕刻工藝中，蝕刻所述介電層的第一部分以在所述第一半導(dǎo)體鰭的側(cè)壁上形成第一鰭間隔件，并且在所述第一蝕刻工藝期間覆蓋所述第二部分而不蝕刻所述第二部分，其中，所述第一鰭間隔件具有第一高度；

在所述第一蝕刻工藝之后，凹進(jìn)所述第一半導(dǎo)體鰭以在所述第一鰭間隔件之間形成第一凹槽；

在形成所述第一凹槽之后，在第二蝕刻工藝中，蝕刻所述介電層的第二部分以在所述第二半導(dǎo)體鰭的側(cè)壁上形成第二鰭間隔件，并且在所述第二蝕刻工藝期間覆蓋所述第一鰭間隔件，其中，位于所述第二器件區(qū)中的所述第二鰭間隔件的第二高度大于位于所述第一器件區(qū)中的所述第一鰭間隔件的所述第一高度；

凹進(jìn)所述第二半導(dǎo)體鰭以在所述第二鰭間隔件之間形成第二凹槽；以及

同時(shí)從所述第一器件區(qū)中的所述第一凹槽生長第一外延半導(dǎo)體區(qū)和從所述第一器件區(qū)中的所述第二凹槽生長第二外延半導(dǎo)體區(qū)，從相鄰的所述第一鰭間隔件之間的所述第一器件區(qū)中的所述第一凹槽生長的所述第一外延半導(dǎo)體區(qū)彼此合并，并且從相鄰的所述第二鰭間隔件之間的所述第二器件區(qū)中的所述第二凹槽生長的所述第二外延半導(dǎo)體區(qū)彼此分離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，相鄰的所述第一半導(dǎo)體鰭具有第一距離，并且相鄰的所述第二半導(dǎo)體鰭具有大于所述第一距離的第二距離。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述介電層上方形成掩模層；

在所述第二柵極堆疊件和所述第二半導(dǎo)體鰭上方形成第一光刻膠；

蝕刻位于所述第一柵極堆疊件和所述第一半導(dǎo)體鰭的正上方的所述掩模層的第一部分；和

蝕刻所述介電層的第一部分以形成所述第一鰭間隔件，所述介電層的第一部分被所述掩模層的蝕刻的第一部分覆蓋；以及

在形成所述第一凹槽之后去除所述第一光刻膠。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括：

在所述第一柵極堆疊件和所述第一鰭間隔件上方形成第二光刻膠；

蝕刻位于所述第二柵極堆疊件和所述第二半導(dǎo)體鰭正上方的所述掩模層的第二部分；

蝕刻所述介電層的第二部分以形成所述第二鰭間隔件，所述介電層的第二部分由所述掩模層的蝕刻的第二部分覆蓋；以及

在形成所述第二凹槽之后去除所述第二光刻膠。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一器件區(qū)是邏輯器件區(qū)，所述第一外延半導(dǎo)體區(qū)和所述第一柵極堆疊件在邏輯器件區(qū)中形成第一鰭式場效應(yīng)晶體管，并且所述第二器件區(qū)是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件區(qū)，所述第二外延半導(dǎo)體區(qū)和所述第二柵極堆疊件在靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件區(qū)中形成鰭式場效應(yīng)晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二鰭間隔件的第二高度比所述第一鰭間隔件的第一高度高1.5倍。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一外延半導(dǎo)體區(qū)和所述第二外延半導(dǎo)體區(qū)均是p型區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一外延半導(dǎo)體區(qū)和所述第二外延半導(dǎo)體區(qū)均是n型區(qū)。