[發明專利]一種UV光致可剝離膠及其制備方法有效
| 申請號: | 202210446843.9 | 申請日: | 2022-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN114672276B | 公開(公告)日: | 2023-08-22 |
| 發明(設計)人: | 劉少杰;范巖超;邢旭騰;張翠枝;申洪剛;王輝;王思佳 | 申請(專利權)人: | 河北科技大學 |
| 主分類號: | C09J175/16 | 分類號: | C09J175/16;C09J133/08;C08G18/36;C08G18/67;C08F220/18;C08F220/20;C08F220/14;C08F220/06;C08F220/30;C08F220/36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 uv 光致可 剝離 及其 制備 方法 | ||
本發明涉及膠粘劑技術領域,尤其涉及一種UV光致可剝離膠及其制備方法,該UV光致可剝離膠由丙烯酸酯共聚物基膠、聚氨酯丙烯酸酯預聚物、丙烯酸酯單體和溶劑制備得到,其中,所述丙烯酸酯共聚物基膠由過氧化苯甲酰、丙烯酸異辛酯、丙烯酸羥乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸、4?丙烯酰氧基二苯甲酮和甲基丙烯酸縮水甘油酯改性季銨鹽制備得到;所述聚氨酯丙烯酸酯預聚物由大豆油基多元醇、多異氰酸酯、二月桂酸二丁烯、對叔丁鄰苯二酚和季戊四醇三丙烯酸酯制備得到。本發明提供的UV光致可剝離膠中無任何游離單體,在UV光固化前具有較高的粘合力,UV照射后殘膠量低,并且具有高減粘性和強抗靜電性,能夠滿足薄硅晶片的切割要求。
技術領域
本發明涉及膠粘劑技術領域,尤其涉及一種UV光致可剝離膠及其制備方法。
背景技術
UV光致可剝離膠是一種常態提供高粘合力,UV照射后粘著力瞬間大幅度降低的一類膠粘劑,在硅晶片切割制備芯片時起到固定硅晶片的作用。在UV光固化前,UV光致可剝離膠能夠提供足夠高的粘合力,固定硅晶片,防止切割過程中硅晶片發生崩裂,切割完成后,在UV照射下,UV光致可剝離膠粘合力瞬間大幅度降低,硅晶片能夠輕松剝離。近年來,隨著半導體技術的飛速發展,硅晶片的厚度越來越薄,厚度低于100μm的硅晶片在切割和拾取過程中極易損壞,因此對UV光致可剝離膠的性能提出了更高要求。硅晶片在撿取過程中會產生靜電吸附灰塵,灰塵會污染芯片,降低良率,目前常用的UV光致可剝離膠中的抗靜電劑和光引發劑為小分子量物質,在體系中處于游離狀態,非常容易脫落,影響抗靜電性能,并且還會產生殘膠,污染芯片。并且,目前現有的UV光致可剝離膠在光固化前后剝離強度均無法滿足薄硅晶片的切割要求。
發明內容
鑒于此,本發明提供一種UV光致可剝離膠及其制備方法,本發明提供的UV光致可剝離膠在UV光固化前粘合力高,UV照射后減粘性高、抗靜電強,能夠滿足薄硅晶片的切割要求,克服了現有技術的缺陷。
為達到上述發明目的,本發明采用了如下的技術方案:
本發明第一方面提供了一種UV光致可剝離膠,由包括如下重量份數的原料制成:丙烯酸酯共聚物基膠39~53份,聚氨酯丙烯酸酯預聚物30~55份,丙烯酸酯單體5~25份和溶劑1~10份;
其中,所述丙烯酸酯共聚物基膠由過氧化苯甲酰、丙烯酸異辛酯、丙烯酸羥乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸、4-丙烯酰氧基二苯甲酮和甲基丙烯酸縮水甘油酯改性季銨鹽制備得到;
所述聚氨酯丙烯酸酯預聚物由大豆油基多元醇、多異氰酸酯、二月桂酸二丁烯、對叔丁鄰苯二酚和季戊四醇三丙烯酸酯制備得到。
本發明實施例所示的方案,丙烯酸酯共聚物基膠中既含有光引發劑4-丙烯酰氧基二苯甲酮又含有抗靜電劑甲基丙烯酸縮水甘油酯改性季銨鹽,由于光引發劑和抗靜電劑分子中均含有丙烯酸酯基,因此光引發劑和抗靜電劑分子能夠聚合到丙烯酸酯共聚物基膠中,保證體系中無任何游離單體,通過使用本發明提供的丙烯酸酯共聚物基膠制備UV光致可剝離膠,既能夠大大降低UV固化后的殘膠量,又能夠提高UV光致可剝離膠的抗靜電能力;本發明提供的末端同時含有-NCO和丙烯酸酯基的聚氨酯丙烯酸酯預聚物由大豆油基多元醇、多異氰酸酯和季戊四醇三丙烯酸酯酯單體制備得到,-NCO可以在光固化前和丙烯酸酯共聚物基膠當中的羥基熱固化,形成一個交聯網絡,通過調控交聯網絡交聯度,可以使UV光致可剝離膠在光固化前具有較高的粘合力,在光固化時,含有丙烯酸酯基的各成分通過丙烯酸酯基交聯形成網絡,因為聚氨酯丙烯酸酯預聚物中的丙烯酸酯基和-NCO同時參與交聯,所以兩個網絡在光固化后生成全交聯網絡的膠層,進而可以提高UV光致可剝離膠的內聚強度,降低剝離強度。通過限定丙烯酸酯共聚物基膠與聚氨酯丙烯酸酯預聚物的用量,能夠調控基膠中羥基和聚氨酯預聚物中-NCO比例。本發明提供的UV光致可剝離膠中無任何游離單體,在UV光固化前具有較高的粘合力,UV照射后殘膠量低,并且具有高減粘性和強抗靜電性,能夠滿足薄硅晶片的切割要求,克服了現有技術的缺陷。
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