[發(fā)明專利]一種混合階級聯(lián)寬帶大功率電橋有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210446049.4 | 申請日: | 2022-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN114678674B | 公開(公告)日: | 2023-06-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 代宇恒;劉暢;王明 | 申請(專利權(quán))人: | 成都威頻科技有限公司 |
| 主分類號: | H01P5/16 | 分類號: | H01P5/16 |
| 代理公司: | 成都誠中致達專利代理有限公司 51280 | 代理人: | 曹宇杰;楊春 |
| 地址: | 611730 四川省成都市高新區(qū)*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 混合 階級 寬帶 大功率 電橋 | ||
一種混合階級聯(lián)寬帶大功率電橋,包括:第二介質(zhì)基板,其與第一介質(zhì)基板之間設(shè)有第二金屬層,第二金屬層具有第一金屬鏤空區(qū)域;第三介質(zhì)基板,壓合于第二介質(zhì)基板下方,其頂面設(shè)有自右端向左端延伸的第一傳輸線和第三傳輸線,第一傳輸線左端和第三傳輸線左端相連;第三介質(zhì)基板底面設(shè)有自左端向右端延伸的第二傳輸線和第四傳輸線;第一傳輸線和第二傳輸線中部的投影位于第一金屬鏤空區(qū)域內(nèi);第四介質(zhì)基板壓合于第三介質(zhì)基板下方;第五介質(zhì)基板壓,其與第四介質(zhì)基板之間設(shè)有第三金屬層,第三金屬層具有第二金屬鏤空區(qū)域。采用不同耦合度的多階電橋與一階電橋進行級聯(lián),能在保證在現(xiàn)有的材料的情況下,更容易加工出寬帶電橋。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及射頻微波電路中電橋技術(shù),尤其涉及一種混合階級聯(lián)寬帶大功率電橋。
背景技術(shù)
電橋作為無源器件常應(yīng)用于現(xiàn)代射頻微波領(lǐng)域的相控陣雷達以及其他通信系統(tǒng)中,扮演著十分重要的角色,其作用為功率分配或者功率合成,并且其耦合端和輸出端信號等幅且相位相差90°,可廣泛應(yīng)用于圓極化天線以及各類平衡放大器和混頻器中,如何實現(xiàn)電橋的小型化、大功率、超寬帶一直是研究的重點方向。
帶狀線方式作為一種傳輸線結(jié)構(gòu),被廣泛應(yīng)用于各類器件的設(shè)計中,由于其傳輸導(dǎo)線處于均勻介質(zhì)的狀態(tài),相較于普通微帶傳輸線處于非均勻介質(zhì)傳輸,用于設(shè)計一些電橋耦合器類的器件,能達到更優(yōu)異的性能指標。采用帶狀線進行設(shè)計制作的電橋,可耐受功率大、體積小、易加工、成本低,是目前比較主流的一種實現(xiàn)方式,其工作原理是具有一定功率的信號由一端輸入,通過耦合實現(xiàn)主路的功率分離到耦合端,耦合端相位與直通端相差90°,其中耦合線的尺寸可通過奇偶模阻抗的計算得到。
為了實現(xiàn)較寬的寬帶往往會采用多階耦合線進行設(shè)計,在公開號為CN?214477844U的專利中采用多階耦合線進行設(shè)計寬帶電橋,但由于介質(zhì)基板介電常數(shù)或者厚度的種類有限,有時實際設(shè)計的奇偶模阻抗通過純多階電橋電路難以實現(xiàn)3dB的耦合度,因此單純使用多階電路進行設(shè)計有一定局限性。而在公開號為CN?107528112?A的專利中采用了兩個結(jié)構(gòu)特征完全一樣的電橋進行級聯(lián),這樣雖然可以通過兩個8.34dB的多階電路進行級聯(lián)達到3dB的耦合效果,但是由于是使用兩個同樣的多階電橋進行級聯(lián),因此他們的奇偶模阻抗是完全一樣的,不能對其奇偶模阻抗進行修改,并且相同的多階進行級聯(lián)使體積增大了一倍,不利于小型化。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)缺陷,本申請?zhí)峁┮环N混合階級聯(lián)寬帶大功率電橋,采用不同耦合度的多階電橋與一階電橋進行級聯(lián),可以減小多階電橋中最強一階的耦合度,讓與多階電橋級聯(lián)的一階電橋進行耦合補償,能在保證在現(xiàn)有的材料的情況下,更容易加工出寬帶電橋,并在產(chǎn)品外部設(shè)計可焊端口實現(xiàn)表貼功能。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù):
一種混合階級聯(lián)寬帶大功率電橋,包括:
第一介質(zhì)基板;
第二介質(zhì)基板,通過第一PP片壓合于第一介質(zhì)基板下方,與第一介質(zhì)基板之間設(shè)有第二金屬層,第二金屬層中部具有第一金屬鏤空區(qū)域;
第三介質(zhì)基板,通過第二PP片壓合于第二介質(zhì)基板下方,其頂面設(shè)有自右端向左端延伸的第一傳輸線和第三傳輸線,第一傳輸線左端和第三傳輸線左端相連;第三介質(zhì)基板底面設(shè)有自左端向右端延伸的第二傳輸線和第四傳輸線,第二傳輸線對應(yīng)第一傳輸線設(shè)置,第四傳輸線對應(yīng)第三傳輸線設(shè)置,第二傳輸線右端和第四傳輸線右端相連;第一傳輸線和第二傳輸線中部的投影位于第一金屬鏤空區(qū)域內(nèi);頂面右端一側(cè)頂角處設(shè)有與第一傳輸線右端連接第一激勵端口、右端另一側(cè)頂角處設(shè)有與第三傳輸線右端連接激勵第四端口;底面左端一側(cè)頂角處設(shè)有與第二傳輸線左端連接且與第一激勵端口處于同一側(cè)的第二激勵端口、左端另一側(cè)頂角處設(shè)有與第四傳輸線左端連接且與第四激勵端口處于同一側(cè)的第三激勵端口;
第四介質(zhì)基板,通過第三PP片壓合于第三介質(zhì)基板下方;
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