[發明專利]電致發光顯示設備在審
| 申請號: | 202210445236.0 | 申請日: | 2016-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN114725180A | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發明(設計)人: | 金正默 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電致發光 顯示 設備 | ||
1.一種電致發光顯示設備,所述電致發光顯示設備包括:
第一基板,所述第一基板包括像素區域和非像素區域;
多個像素電路單元,所述多個像素電路單元被設置在所述第一基板上的所述像素區域中,所述多個像素電路單元中的每一個像素電路單元包括晶體管,所述晶體管包括半導體層、柵極、漏極和源極;
至少一條公共線,所述至少一條公共線被設置在所述第一基板上的所述像素區域中;
平坦化層,所述平坦化層被設置在所述晶體管和所述公共線上;
像素電極,所述像素電極被設置在所述平坦化層上并且電連接到所述晶體管的源極;
堤,所述堤被設置在所述平坦化層上并且覆蓋所述像素電極的邊界;
發光層,所述發光層被設置在所述像素電極和所述堤上;以及
公共電極,所述公共電極被設置在所述發光層上,
其中,所述公共電極電連接到所述公共線。
2.根據權利要求1所述的電致發光顯示設備,其中,所述公共電極在未設置所述發光層的區域處電連接到所述至少一條公共線。
3.根據權利要求1所述的電致發光顯示設備,所述電致發光顯示設備還包括第一絕緣層,所述第一絕緣層被設置在所述公共線和所述晶體管之間,并且被設置在所述公共線和所述平坦化層之間。
4.根據權利要求1所述的電致發光顯示設備,其中,所述平坦化層由厚度為2μm的有機材料形成。
5.根據權利要求3所述的電致發光顯示設備,所述電致發光顯示設備還包括絕緣緩沖層,所述絕緣緩沖層被設置在所述第一基板與所述晶體管之間并且被設置在所述第一基板與所述公共線之間,
其中,所述絕緣緩沖層由硅氮氧化物SiONx、硅氧化物SiOx和/或硅氮化物SiNx制成。
6.根據權利要求5所述的電致發光顯示設備,其中,所述絕緣緩沖層具有或更大的厚度。
7.根據權利要求5所述的電致發光顯示設備,其中,所述公共電極和所述公共線通過接觸孔電連接,
其中,所述接觸孔是通過對所述堤、所述平坦化層和所述第一絕緣層進行圖案化形成的。
8.根據權利要求7所述的電致發光顯示設備,所述電致發光顯示設備還包括在未設置所述發光層的區域處電連接到所述公共電極的連接電極,
其中,所述連接電極通過所述接觸孔電連接到所述公共線。
9.根據權利要求8所述的電致發光顯示設備,其中,所述連接電極由與所述像素電極相同的材料制成,并且被設置在所述平坦化層上。
10.根據權利要求1所述的電致發光顯示設備,其中,所述像素電路單元還包括電容器,
其中,所述電容器包括由與所述柵極相同的材料形成的第一電極和由與所述源極和所述漏極相同的材料形成的第二電極。
11.根據權利要求7所述的電致發光顯示設備,其中,所述接觸孔被所述堤覆蓋。
12.根據權利要求1所述的電致發光顯示設備,其中,所述發光層和所述公共電極為覆蓋所述像素區域的公共層。
13.根據權利要求3所述的電致發光顯示設備,所述電致發光顯示設備還包括設置在所述公共電極上的第二絕緣層。
14.根據權利要求13所述的電致發光顯示設備,所述電致發光顯示設備還包括設置在所述第二絕緣層上的填充材料。
15.根據權利要求14所述的電致發光顯示設備,所述電致發光顯示設備還包括設置在所述填充材料上的濾色器和黑底。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





