[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示面板

在審

• 申請號: 202210441659.5
• 申請日: 2022-04-25
• 公開（公告）號: CN114843285A
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 陳壽清;盧馬才
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L21/22
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊瑞

本申請公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板，陣列基板包括襯底和有源層；有源層包括溝道部和有源部，有源部包括第一摻雜部和第二摻雜部，第二摻雜部連接第一摻雜部和溝道部，第一摻雜部的離子濃度大于第二摻雜部的離子濃度；以及在襯底至有源層的方向上，第一摻雜部的厚度尺寸大于第二摻雜部的厚度尺寸；本申請通過預先在第一有源層材料中添加離子，以及將第一有源層中第一摻雜部對應的位置的厚度尺寸設置為大于第二摻雜部對應的位置的厚度尺寸，再沉積第二有源層，從而使兩層有源層在激光退火中結晶，并且借助第一摻雜部和第二摻雜部的厚度差異形成不同的離子濃度，從而解決了采用高溫擴散式摻雜的陣列基板無法實現LDD結構的技術問題。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板。

背景技術

LTPS TFT(Low Temperature Poly-Silicon Thin Film Transistor，低溫多晶硅薄膜晶體管)具有遷移率高、穩定性好的優點，在顯示面板領域具有廣闊前景。

在顯示面板的陣列基板的制作工藝中，可采用高溫擴散式摻雜實現薄膜晶體管的有源層的導體化，現有技術中為了彌補薄膜晶體管的柵極圖案化時光罩對位偏差，采取將柵極與摻雜區overlap(交疊)設計，由于柵極直接與摻雜區交疊，因而無法在柵極與摻雜區的交界處設置LDD(light dopping drain，輕摻雜漏極)結構，薄膜晶體管器件容易受熱載流子效應影響而損壞。因此，亟需解決采用高溫擴散式摻雜的陣列基板無法實現LDD結構的技術問題。

發明內容

本申請提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板，以解決采用高溫擴散式摻雜的陣列基板無法實現LDD結構的技術問題。

為解決上述方案，本申請提供的技術方案如下：

本申請提供一種陣列基板，所述陣列基板包括襯底和設置于所述襯底上的有源層；其中，所述有源層包括：

溝道部；

有源部，設置于所述溝道部兩側，所述有源部包括第一摻雜部和第二摻雜部，所述第二摻雜部位于所述第一摻雜部和所述溝道部之間，以及所述第二摻雜部與所述溝道部和所述第一摻雜部連接，所述第一摻雜部的離子濃度大于所述第二摻雜部的離子濃度；

其中，在所述襯底至所述有源層的方向上，所述第一摻雜部的厚度尺寸大于所述第二摻雜部的厚度尺寸。

在本申請的陣列基板中，所述陣列基板還包括：

柵極，設置于所述有源層上；

其中，在所述陣列基板的俯視圖方向上，所述柵極覆蓋所述溝道部，所述柵極和所述第二摻雜部至少部分重疊，以及所述柵極和所述第一摻雜部非重疊設置。

在本申請的陣列基板中，在所述襯底至所述有源層的方向上，所述溝道部的厚度尺寸小于所述第二摻雜部的厚度尺寸。

在本申請的陣列基板中，在所述襯底至所述有源層的方向上，所述第二摻雜部的離子濃度逐漸減小。

在本申請的陣列基板中，所述第二摻雜部圍繞所述第一摻雜部一周設置。

在本申請的陣列基板中，所述第一摻雜部與所述第二摻雜部之間設置有階梯結構，以及所述第一摻雜部遠離所述襯底的表面與所述第二摻雜部遠離所述襯底的表面平行設置。

本申請還提供一種陣列基板的制作方法，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成摻雜有離子的第一有源材料層；

對所述第一有源材料層進行圖案化處理，以使所述有源材料層形成呈階梯狀的多個有源摻雜部，多個所述有源摻雜部分離設置；

在多個所述有源摻雜部上形成第二有源材料層；