[發明專利]陣列基板及其制備方法以及顯示裝置在審
| 申請號: | 202210438418.5 | 申請日: | 2022-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN114823833A | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發明(設計)人: | 龍思邦 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 熊恒定 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 以及 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板至少包括:
金屬層,至少包括多個沿第一方向間隔設置的導電結構;
絕緣層,設置于所述金屬層上,且所述絕緣層至少包括多個設置于所述導電結構上方的第一開口;以及,
透明導電層,設置于所述絕緣層上和多個所述第一開口內,所述透明導電層沿所述第一方向將多個所述導電結構耦接。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還具有沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的切割線以及分別位于所述切割線兩側的保留區域和舍棄區域,其中,所述保留區域包括相鄰設置的顯示區域和非顯示區域。
3.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,多個所述導電結構位于所述保留區域內。
4.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述切割線位于相鄰的所述導電結構之間。
5.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括緩沖層,所述緩沖層設置于所述金屬層下方。
6.根據權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述緩沖層上設置有至少一個第二開口,所述第二開口位于相鄰的所述導電結構之間,所述絕緣層和所述透明導電層在所述第二開口處形成臺階。
7.一種陣列基板的制備方法,其特征在于,所述制備方法至少包括:
形成金屬層,所述金屬層至少包括多個間隔設置的導電結構;
在所述金屬層上形成絕緣層,所述絕緣層至少包括多個設置于所述導電結構上方的第一開口;以及,
在所述絕緣層上和多個所述第一開口內形成透明導電層,所述透明導電層沿第一方向將多個所述導電結構耦接。
8.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述形成金屬層的步驟具體包括:
在緩沖層上形成金屬層,所述金屬層至少包括多個沿第一方向間隔設置的導電結構。
9.根據權利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述在緩沖層上形成金屬層的步驟具體包括:
提供緩沖層,并在所述緩沖層上形成至少一個第二開口;以及,
在所述緩沖層上形成金屬層,所述金屬層至少包括多個沿第一方向間隔設置的導電結構,其中,所述第二開口位于相鄰的所述導電結構之間。
10.一種顯示裝置,其特征在于,至少包括如權利要求1至6任一項所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





