[發明專利]阻變式陣列器件一致性的補償方法及電路在審
| 申請號: | 202210431352.7 | 申請日: | 2022-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN114783484A | 公開(公告)日: | 2022-07-22 |
| 發明(設計)人: | 馬向超;王坤 | 申請(專利權)人: | 北京新憶科技有限公司 |
| 主分類號: | G11C13/00 | 分類號: | G11C13/00 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 單冠飛 |
| 地址: | 100083 北京市海淀區中*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 阻變式 陣列 器件 一致性 補償 方法 電路 | ||
本申請提供了一種阻變式陣列器件一致性的補償方法及電路。其中方法包括:獲取位線上的多個器件各自所處位置節點的位置信息,根據所述多個器件各自的位置信息和預設補償邏輯,確定所述多個器件各自的目標補償系數;基于所述多個器件各自的目標補償系數和參考電壓,得到補償后的施加于所述多個器件各自的操作電壓,以實現所述多個器件的操作電壓的一致。通過引入器件所處位置節點的節點參數信息,進而調節施加在器件上的操作電壓,通過此方法對操作電壓進行補償,使得不同位置的器件實際施加的操作電壓近似,進而提高陣列器件的一致性。
技術領域
本申請涉及阻變存儲器技術領域,尤其涉及一種阻變式陣列器件一致性的補償方法及電路。
背景技術
金屬繞線的寄生參數如電阻、電容,隨著工藝節點的迭代,對器件或電路性能的影響也越來越大。對于阻變器件的陣列來說,隨著工藝節點的微縮及陣列規模的增大,位線上的金屬走線寄生電阻會變的越來越大,例如28nm工藝節點下,Mb級別陣列位線上的寄生電阻能達到KOhm級別。由歐姆定律可知,ΔU=I*ΔR,通過位線上的電流I會導致一定的電壓降。也就是說,對于處于位線上不同位置的多個器件,施加在上面的操作電壓會有區別,進而導致多個器件的性能會有一定的偏差,一致性變差。
而現有技術方案主要是保證陣列在最差條件下的特性也能保證滿足指標要求即可,這種方案會對電路設計或器件工藝上提出更高的要求。通過遷就最差的器件,來保證滿足芯片設計指標,這樣會間接提高器件的特性需求,需要工藝部分花費更多的經歷去研發,或者陣列設計上采用更寬的金屬走線來減輕電壓降,這樣會增加陣列面積,降低芯片的競爭力。
發明內容
本申請提供了一種阻變式陣列器件一致性的補償方法及電路,以提高阻變式陣列器件的一致性。本申請的技術方案如下:
第一方面,本申請實施例提供了一種阻變式陣列器件一致性的補償方法,包括:
獲取位線上的多個器件各自所處位置節點的節點參數信息,其中,所述節點參數信息為位置信息或者電壓信息;
根據所述多個器件各自的節點參數信息,得到補償后的施加于所述多個器件各自的操作電壓,以實現所述多個器件的操作電壓的一致。
在一些可能的實施例中,所述根據所述多個器件各自的節點參數信息,得到補償后的施加于所述多個器件各自的操作電壓,包括:
根據所述多個器件各自的節點參數信息和預設補償邏輯,確定所述多個器件各自的目標補償系數;其中,所述預設補償邏輯包括所述節點參數信息與補償系數之間的對應關系;
基于所述多個器件各自的目標補償系數和參考電壓,得到補償后的施加于所述多個器件各自的操作電壓。
在一些可能的實施例中,所述位置信息為所述位線行位置的地址信息。
第二方面,本申請實施例提供了一種阻變式陣列器件一致性的補償電路,包括調節器和位置補償電路,所述位置補償電路,用于根據所述器件位于位線上的位置節點的節點參數信息和所述調節器的輸出電壓,確定所述器件的目標補償系數;其中,所述節點參數信息為位置信息或者電壓信息;
所述調節器包括兩個輸入端口,一個輸入端口連接參考電壓,另一個輸入端口連接所述位置補償電路的輸出端口;所述調節器用于根據所述目標補償系數和參考電壓,得到補償后的所述器件的操作電壓。
在一些可能的實施例中,所述位置補償電路為邏輯電路。
在一些可能的實施例中,所述位置補償電路包括位置補償邏輯單元和電阻梯形網絡,所述電路梯形網絡包括多個串聯的電阻,且兩個相鄰所述電阻之間的節點均連接開關網絡;
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