[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的鍵合方法、發(fā)光二極管以及發(fā)光面板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210431118.4
• 申請日: 2022-04-22
• 公開（公告）號: CN114824037A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳俊吉
• 申請（專利權(quán)）人: 西安聞泰信息技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L33/52
• 分類號: H01L33/52;H01L33/62;H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 北京開陽星知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11710
• 代理人: 賈少華

本申請涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光二極管的鍵合方法、發(fā)光二極管以及發(fā)光面板。其中，鍵合方法包括：提供微型發(fā)光二極管本體；微型發(fā)光二極管本體包括發(fā)光芯片以及設(shè)置于發(fā)光芯片至少一側(cè)的外接電極；在外接電極背離發(fā)光芯片的一側(cè)形成鍵合電極；至少在鍵合電極的側(cè)面形成保護(hù)層；其中，保護(hù)層用于防止鍵合電極被腐蝕。通過本申請的技術(shù)方案，解決了鍵合電極被腐蝕的問題，進(jìn)而有利于使得鍵合良好，提高整體穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光二極管的鍵合方法、發(fā)光二極管以及發(fā)光面板。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見光的固態(tài)的半導(dǎo)體器件，在日常生活中普遍應(yīng)用，例如可用于照明、顯示等場景中。其中，發(fā)光二極管的一種結(jié)構(gòu)類型為微型發(fā)光二極管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)；為實(shí)現(xiàn)Micro-LED的驅(qū)動(dòng)，通常將Micro-LED與驅(qū)動(dòng)板鍵合。

將Micro-LED鍵合到驅(qū)動(dòng)板時(shí)，需要鍵合材料。例如異方性導(dǎo)電膠膜(AnisotropicConductive Film,ACF)可作為一種鍵合材料；當(dāng)采用ACF將Micro-LED鍵合到驅(qū)動(dòng)板時(shí)，通常需用強(qiáng)力壓合，例如壓合過程中的壓力可高達(dá)1000Kg，容易將Micro-LED壓碎。

針對此，可將改用蒸鍍的錫金屬作為鍵合材料，以降低鍵合壓力，例如可將壓力降低至100Kg。但是，由于錫金屬容易被氧化，會(huì)導(dǎo)致鍵合不良，穩(wěn)定性差的問題。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問題或者至少部分地解決上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┝艘环N發(fā)光二極管的鍵合方法、發(fā)光二極管以及發(fā)光面板，以防止鍵合金屬被腐蝕，解決了由于鍵合不良導(dǎo)致的穩(wěn)定性差的問題。

本申請實(shí)施例提供了一種微型發(fā)光二極管的鍵合方法，包括：

提供微型發(fā)光二極管本體；所述微型發(fā)光二極管本體包括發(fā)光芯片以及設(shè)置于所述發(fā)光芯片至少一側(cè)的外接電極；

在所述外接電極背離所述發(fā)光芯片的一側(cè)形成鍵合電極；

至少在所述鍵合電極的側(cè)面形成保護(hù)層；

其中，所述保護(hù)層用于防止所述鍵合電極被腐蝕。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述至少在所述鍵合電極的側(cè)面形成保護(hù)層，包括：

采用掩膜蒸鍍的方式形成保護(hù)層，和/或，采用掩膜固化液體的方式形成保護(hù)層。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述采用掩膜蒸鍍的方式形成保護(hù)層，包括：

在所述發(fā)光芯片形成鍵合電極的一側(cè)涂布光阻層；所述光阻層覆蓋所述發(fā)光芯片、所述外接電極以及所述鍵合電極；

對所述光阻層進(jìn)行曝光顯影，去除位于所述外接電極上的光阻，對應(yīng)形成第一凹坑，所述鍵合電極位于所述第一凹坑內(nèi)，且所述外接電極與所述第一凹坑的側(cè)壁之間存在間隙；

在所述外接電極背離所述發(fā)光芯片的一側(cè)采用蒸鍍的方式形成第一預(yù)置保護(hù)層，所述第一預(yù)置保護(hù)層還填充在所述第一凹坑內(nèi)，且至少覆蓋所述鍵合電極的側(cè)面；

去除所述光阻層。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述采用掩膜固化液體的方式形成保護(hù)層，包括：

在所述發(fā)光芯片形成鍵合電極的一側(cè)涂布光阻層；所述光阻層覆蓋所述發(fā)光芯片、所述外接電極以及所述鍵合電極；

對所述光阻層進(jìn)行曝光顯影，去除位于所述外接電極上的光阻，對應(yīng)形成第二凹坑，所述鍵合電極位于所述第二凹坑內(nèi)，且所述外接電極與所述第二凹坑的側(cè)壁之間存在間隙；