[發(fā)明專利]一種制備Se摻雜二維釩基單晶超導(dǎo)材料的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210430716.X
• 申請日: 2022-04-22
• 公開（公告）號(hào): CN114790569B
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋飛;劉禹彤;趙勇
• 申請（專利權(quán)）人: 福建師范大學(xué)
• 主分類號(hào): C30B1/02
• 分類號(hào): C30B1/02;C30B1/10;C30B29/52
• 代理公司: 福州君誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35211
• 代理人: 張耕祥

1.一種制備Se摻雜CsV₃Sb₅單晶超導(dǎo)材料的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：將摩爾比為1:1的金屬Cs與Sb粉研磨均勻，得到粉末A；

步驟2：將摩爾比為3:3~4:0.15~1的V粉、Sb粉、Se粉研磨均勻，得到粉末B；

步驟3：將粉末A和粉末B混合后放在模具中進(jìn)行壓片，壓力為5~35?T，時(shí)間為5~15分鐘，制成胚體；

步驟4：取出胚體并放置在坩堝中，再將坩堝放置于石英玻璃管內(nèi)，用真空封管機(jī)對石英玻璃管進(jìn)行封管處理；

步驟5：將封好的石英玻璃管放置馬弗爐中，以1~2?℃/分鐘的速率加熱至800?℃~1100℃，保溫24~36?h，然后以50~100?℃/小時(shí)的速率降溫至600?℃~800?℃，最后以1~2?℃/小時(shí)的速率緩慢降溫至400?℃~650?℃；

步驟6：取出石英玻璃管置于空氣中冷卻，得到Se摻雜CsV₃Sb₅塊體單晶。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備Se摻雜CsV₃Sb₅單晶超導(dǎo)材料的方法，其特征在于，所述金屬Cs、Sb粉、V粉、Se粉的純度均大于99.99%。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備Se摻雜CsV₃Sb₅單晶超導(dǎo)材料的方法，其特征在于，步驟1和步驟2中，所述研磨是在充滿保護(hù)氣的手套箱內(nèi)進(jìn)行，研磨時(shí)間為1~1.5小時(shí)。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備Se摻雜CsV₃Sb₅單晶超導(dǎo)材料的方法，其特征在于，步驟3中，所述模具的直徑為5~20?mm，所述壓片是在充滿保護(hù)氣的手套箱內(nèi)進(jìn)行。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備Se摻雜CsV₃Sb₅單晶超導(dǎo)材料的方法，其特征在于，步驟4中，真空封管機(jī)真空度為1.5×10^-3~2.5×10^-3?pa。