[發明專利]鏈霉菌在促進好氧顆粒污泥形成和/或提高好氧顆粒污泥穩定性中的應用

在審

• 申請號: 202210423584.8
• 申請日: 2022-04-21
• 公開（公告）號: CN114716007A
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 湯兵;張煥龍;賓麗英
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: C02F3/12
• 分類號: C02F3/12;C02F101/10;C02F101/16;C02F101/38
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 趙崇楊

1.鏈霉菌在促進好氧顆粒污泥形成和/或提高好氧顆粒污泥穩定性中的應用，其特征在于，所述鏈霉菌為保藏編號為CICC 10513、CICC 11035、CICC 11010和/或CICC 21933的鏈霉菌。

2.權利要求1中所述鏈霉菌在制備用于促進好氧顆粒污泥形成和/或提高好氧顆粒污泥穩定性的制劑中的應用。

3.根據權利要求2所述應用，其特征在于，所述鏈霉菌的菌落濃度為10⁵～10⁹CFU/mL。

4.一種利用權利要求1中所述鏈霉菌培養好氧顆粒污泥的方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1.鏈霉菌的培養：無菌條件下培養得到鏈霉菌顆粒菌液；

S2.好氧顆粒污泥的培養：將步驟S1制備所得鏈霉菌顆粒菌液投加到活性污泥中培養，獲得好氧顆粒污泥。

5.根據權利要求4所述方法，其特征在于，步驟S1中培養鏈霉菌顆粒菌液的培養溫度為25～30℃。

6.根據權利要求4所述方法，其特征在于，步驟S1中培養鏈霉菌顆粒菌液所用培養基為高氏一號液體培養基。

7.根據權利要求4所述方法，其特征在于，步驟S1所述鏈霉菌菌液中的菌落濃度為10⁵～10⁹CFU/mL。

8.根據權利要求4所述方法，其特征在于，步驟S2中活性污泥與鏈霉菌的體積比為100：25～100。

9.根據權利要求4所述方法，其特征在于，步驟S2中若通過振蕩培養的方法培養好氧顆粒污泥，則培養條件為25～30℃，150～250r/min。

10.根據權利要求4所述方法，其特征在于，步驟S2中若利用內含活性污泥的膜生物反應器培養好氧顆粒污泥，則反應器的污泥負荷為0.1～0.4gCOD/gMLSS·d，混合液懸浮固體濃度的初始濃度為2000～3000mg/L，好氧區DO為2.0～4.0mg/L，厭氧區DO為0～2.0mg/L。