[發明專利]一種基于超薄CdS/ZTO雙緩沖層的柔性CZTSSe太陽電池及其制備方法在審
| 申請號： | 202210422925.X | 申請日： | 2022-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN114843354A | 公開（公告）日： | 2022-08-02 |
| 發明（設計）人： | 程樹英;林蓓蓓;鄧輝;孫全震 | 申請（專利權）人： | 福州大學;閩都創新實驗室 |
| 主分類號： | H01L31/032 | 分類號： | H01L31/032;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人： | 張燈燦;蔡學俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 超薄 cds zto 緩沖 柔性 cztsse 太陽電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于超薄CdS/ZTO雙緩沖層的柔性CZTSSe太陽電池，其特征在于，由襯底開始，自下而上依次設置柔性Mo箔襯底、CZTSSe吸收層、CdS/ZTO雙緩沖層、ITO窗口層和Ag電極，所述CdS/ZTO雙緩沖層由CdS緩沖層和ZTO緩沖層組成。
2.根據權利要求1所述的一種基于超薄CdS/ZTO雙緩沖層的柔性CZTSSe太陽電池，其特征在于，所述柔性Mo箔襯底的厚度小于0.1 mm，純度大于99.99%，具有可彎折性。
3.根據權利要求1所述的一種基于超薄CdS/ZTO雙緩沖層的柔性CZTSSe太陽電池，其特征在于，所述CdS緩沖層的厚度為10 nm。
4.根據權利要求1所述的一種基于超薄CdS/ZTO雙緩沖層的柔性CZTSSe太陽電池，其特征在于，所述ZTO緩沖層為ZnxSn1-xO薄膜，0x1，具有可調帶隙。
5.一種如權利要求1-4任一項所述的基于超薄CdS/ZTO雙緩沖層的柔性CZTSSe太陽電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）清洗柔性Mo箔襯底；
（2）利用前驅體溶液旋涂法及高溫硒化技術在干凈的柔性Mo箔上制備結晶性良好的CZTSSe薄膜，形成CZTSSe吸收層；
（3）利用化學水浴沉積方法在CZTSSe薄膜上沉積超薄的CdS緩沖層；
（4）在超薄的CdS緩沖層上制備ZTO薄膜，形成ZTO緩沖層；
（5）利用磁控濺射法在ZTO緩沖層上沉積ITO窗口層；
（6）在ITO窗口層上蒸發Ag電極。
6.根據權利要求5所述的一種基于超薄CdS/ZTO雙緩沖層的柔性CZTSSe太陽電池的制備方法，其特征在于，步驟（4）中，所述ZTO薄膜的制備方法包括溶膠凝膠法、磁控濺射法、原子層沉積法。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
