[發明專利]一種光刻膠的去除方法在審
| 申請號： | 202210419158.7 | 申請日： | 2022-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN114879455A | 公開（公告）日： | 2022-08-09 |
| 發明（設計）人： | 姜琪;李興輝;韓攀陽;杜婷;蔡軍;馮進軍 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十二研究所 |
| 主分類號： | G03F7/42 | 分類號： | G03F7/42;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人： | 張雪梅;趙曉丹 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光刻 去除 方法 | ||
1.一種光刻膠的去除方法，所述光刻膠是在制作屏蔽結構尖錐陣列場發射電子源過程中形成的，所述屏蔽結構尖錐陣列場發射電子源的屏蔽結構為SiO2/Si3N4/SiO2的多絕緣層夾層結構，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一：將帶有光刻膠的基片浸于去膠液中，進行浸泡；
步驟二：兆聲清洗；
步驟三：氧等離子體刻蝕處理。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiO2/Si3N4/SiO2的多絕緣層夾層結構的總厚度為1μm，其中，Si3N4絕緣層的厚度為180nm-220nm。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻膠的厚度為0.8μm-1.2μm。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去膠液的主要成分為N-甲基吡咯烷酮。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述浸泡的時間為8h-12h。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述兆聲清洗的條件為：兆聲的頻率為1MHz，兆聲的功率為400W-500W，兆聲清洗的時間為15min-25min。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述兆聲清洗所用清洗液為去離子水；所述去離子水的電阻率為18MΩ·cm。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧等離子體刻蝕處理所用設備為電感耦合反應離子刻蝕機；所述電感耦合反應離子刻蝕機的電感耦合系統和刻蝕射頻系統同時開起，所述電感耦合系統的射頻電源功率為290W-310W；所述刻蝕射頻系統的射頻電源功率為190W-210W。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧等離子體刻蝕處理是在8Pa-10 Pa的工作壓強下，處理40s-60s。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟一和步驟三之后還包括通過掃描電子顯微鏡下觀察基片狀態。
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