[發(fā)明專利]用于空間電磁屏蔽的化學(xué)分子衛(wèi)星在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210415241.7 | 申請日: | 2022-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN114802809A | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹譯;白玉鑄;陳榮;王璟賢;梁昊鵬;趙勇;楊磊 | 申請(專利權(quán))人: | 中國人民解放軍國防科技大學(xué) |
| 主分類號: | B64G1/10 | 分類號: | B64G1/10;B64G1/54;B64G1/64 |
| 代理公司: | 北京奧文知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11534 | 代理人: | 張文 |
| 地址: | 410073 湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 空間 電磁 屏蔽 化學(xué) 分子 衛(wèi)星 | ||
本發(fā)明公開了一種用于空間電磁屏蔽的化學(xué)分子衛(wèi)星,化學(xué)分子衛(wèi)星能夠完成從二維平面構(gòu)型到三維正多面體構(gòu)型的拓?fù)渥儞Q,需要進(jìn)行電磁屏蔽的目標(biāo)設(shè)備能夠容納在化學(xué)分子衛(wèi)星中,化學(xué)分子衛(wèi)星包括原子衛(wèi)星和機(jī)械臂。原子衛(wèi)星依次位于正多面體的頂角處;機(jī)械臂用于連接相鄰的原子衛(wèi)星,機(jī)械臂中設(shè)置有能夠展開的電磁屏蔽帆,展開后的電磁屏蔽帆能夠至少部分地覆蓋機(jī)械臂所在的正多面體中的一個(gè)平面;其中,化學(xué)分子衛(wèi)星能夠借助機(jī)械臂展開。由此,本發(fā)明中的化學(xué)分子衛(wèi)星能夠在太空中的在軌服務(wù)中根據(jù)任務(wù)需求,對目標(biāo)衛(wèi)星提供電磁屏蔽的空間任務(wù),可以方便且有效地保護(hù)目標(biāo)衛(wèi)星。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電磁屏蔽技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種用于空間電磁屏蔽的化學(xué)分子衛(wèi)星。
背景技術(shù)
人造衛(wèi)星是遵循軌道力學(xué)規(guī)律長期環(huán)繞地球或其它行星飛行、執(zhí)行在軌任務(wù)的航天器,其能夠?qū)崿F(xiàn)多種空間功能,例如可以實(shí)現(xiàn)對地監(jiān)測、天文觀測、通信轉(zhuǎn)播以及科學(xué)研究。為了實(shí)現(xiàn)相關(guān)的空間任務(wù),例如,協(xié)助目標(biāo)衛(wèi)星對地隱身和在太陽風(fēng)暴中保護(hù)目標(biāo)衛(wèi)星,人造衛(wèi)星需要進(jìn)行電磁屏蔽。其中,前者在空間攻防中具有重要意義,后者主要針對超強(qiáng)太陽風(fēng)暴對地球空間的影響,以提供在太陽風(fēng)暴中保護(hù)高價(jià)值衛(wèi)星的在軌服務(wù)。
現(xiàn)有技術(shù)中,電磁屏蔽主要包括兩個(gè)方面,被動(dòng)屏蔽和主動(dòng)屏蔽。其中,被動(dòng)屏蔽為對干擾信號進(jìn)行屏蔽,以保證自身器械能夠正常工作,例如,可以對衛(wèi)星自身設(shè)置法拉第籠,或者類似的艙式結(jié)構(gòu)。主動(dòng)屏蔽則為對外部的偵測信號進(jìn)行屏蔽,以實(shí)現(xiàn)“隱形”的效果,這主要是以能夠?qū)崿F(xiàn)電磁屏蔽的復(fù)合材料為基礎(chǔ),例如,可以將相應(yīng)的復(fù)合材料涂覆在需要“隱形”的設(shè)備上。然而。當(dāng)前的電磁屏蔽方式僅應(yīng)用于目標(biāo)裝置自身,而且需要提前進(jìn)行設(shè)計(jì)制造,無法應(yīng)用于其他不具備電磁屏蔽的目標(biāo)設(shè)備上。因此,如何利用當(dāng)前電磁屏蔽技術(shù)實(shí)現(xiàn)兩種在軌服務(wù)任務(wù)同時(shí)不損壞目標(biāo)衛(wèi)星,是當(dāng)前待解決的技術(shù)難題。
發(fā)明內(nèi)容
為至少部分地解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種用于空間電磁屏蔽的化學(xué)分子衛(wèi)星。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種用于空間電磁屏蔽的化學(xué)分子衛(wèi)星,所述化學(xué)分子衛(wèi)星能夠完成從二維平面構(gòu)型到三維正多面體構(gòu)型的拓?fù)渥儞Q,需要進(jìn)行電磁屏蔽的目標(biāo)設(shè)備能夠容納在變換成為三維正多面體構(gòu)型的所述化學(xué)分子衛(wèi)星中,所述化學(xué)分子衛(wèi)星包括:
原子衛(wèi)星,所述原子衛(wèi)星依次位于所述正多面體的頂角處;以及
機(jī)械臂,所述機(jī)械臂用于連接相鄰的所述原子衛(wèi)星,所述機(jī)械臂中設(shè)置有能夠展開的電磁屏蔽帆,展開后的所述電磁屏蔽帆能夠至少部分地覆蓋所述機(jī)械臂所在的所述正多面體中的一個(gè)平面;
其中,所述化學(xué)分子衛(wèi)星能夠借助所述機(jī)械臂展開。
可選地,所述化學(xué)分子衛(wèi)星構(gòu)造為大致正二十面體,所述原子衛(wèi)星的數(shù)量為12個(gè)且依次位于所述正二十面體的頂角處。
可選地,所述電磁屏蔽帆展開為六邊形,展開后的所述電磁屏蔽帆上依次間隔的三條邊分別平行于當(dāng)前所在的三角形表面的三條邊。
可選地,所述機(jī)械臂的數(shù)量為21個(gè)。
可選地,所述化學(xué)分子衛(wèi)星展開后能夠使得所述原子衛(wèi)星均位于同一平面內(nèi),展開至同一平面后的所述原子衛(wèi)星包括一個(gè)一級衛(wèi)星、排成一列的五個(gè)二級衛(wèi)星、排成一列的五個(gè)三級衛(wèi)星、一個(gè)四級衛(wèi)星,其中,排成一列的所述二級衛(wèi)星平行于排成一列的所述三級衛(wèi)星,所述二級衛(wèi)星和所述三級衛(wèi)星之間經(jīng)由所述機(jī)械臂依次連接能夠形成8個(gè)等邊三角形,所述一級衛(wèi)星和所述四級衛(wèi)星分別位于所述二級衛(wèi)星和所述三級衛(wèi)星的兩側(cè),所述一級衛(wèi)星能夠與處于端部的一個(gè)所述二級衛(wèi)星和處于同一端部的一個(gè)所述三級衛(wèi)星共線,并且所述一級衛(wèi)星能夠與鄰近的兩個(gè)所述二級衛(wèi)星經(jīng)由所述機(jī)械臂連接形成等邊三角形,所述四級衛(wèi)星能夠與處于另一端部的一個(gè)所述二級衛(wèi)星和處于同一另一端部的一個(gè)所述三級衛(wèi)星共線,并且所述四級衛(wèi)星能夠與鄰近的兩個(gè)所述三級衛(wèi)星經(jīng)由所述機(jī)械臂連接形成等邊三角形。
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