[發明專利]一種被動組件基板封裝結構及其芯片封裝方法在審
| 申請號: | 202210414709.0 | 申請日: | 2022-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN114975139A | 公開(公告)日: | 2022-08-30 |
| 發明(設計)人: | 陳彥亨;林正忠 | 申請(專利權)人: | 盛合晶微半導體(江陰)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/31;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 214437 江蘇省無錫市江陰市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 被動 組件 封裝 結構 及其 芯片 方法 | ||
本發明提供一種被動組件基板封裝結構及其芯片封裝方法,該被動組件基板封裝結構包括芯片及被動組件基板,其中,芯片上設有電極,被動組件基板包括重新布線層、被動組件層、封裝膠層、凸塊下金屬層及導電凸塊,重新布線層位于芯片的設有電極一面,其上設有導電柱且包括至少一介質層及至少一導電互連層;被動組件層包括至少一被動組件,并與重新布線層電連接;封裝膠層覆蓋被動組件層及導電柱,凸塊下金屬層位于封裝膠層背離重新布線層一面,且凸塊下金屬層的兩面分別與導電柱及導電凸塊電連接。本發明將被動組件層封裝于被動組件基板內,并將芯片組裝于被動組件基板,實現了被動組件的高密度集成及芯片的封裝,縮小了封裝基板的平面尺寸。
技術領域
本發明屬于集成電路制造領域,涉及一種被動組件基板封裝結構及其芯片封裝方法。
背景技術
電路板(Printed Circuit Board簡稱PCB,也稱作線路板)通常用于連接并支撐電子元件。基板作為電路板的基本材料,是電子元件封裝的重要組成部分,在電路板中批量應用的基板多為1~12層,當嵌于電路板上的芯片I/O增多時,電路板上的基板層數就增多,相應的制作基板的成本就增高,且普通基板的制作工藝是有極限的,目前普通基板的線寬線距通常為50μm,最小只能達到20μm,隨著芯片的功能及集成度的提高,普通基板的制作工藝逐漸難以滿足芯片的封裝需求。
目前,為了解決基板制程限制的問題及應對高集成度的芯片封裝,2.5D和FO扇出型晶圓級先進封裝技術被開發出來并被廣泛應用,但是這類先進封裝技術需要將被動組件放置于基板的外圍,增加了封裝基板的平面尺寸,且相對于基板的制作來說造價高,制作時間長。
因此,急需開發一種封裝基本的平面尺寸小、制作時間短及制作工藝高的基板制作工藝。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本發明的目的在于提供一種封裝結構及其天線封裝方法,用于解決現有技術中利用普通基板封裝的封裝基板平面尺寸大、制作基板時間長及制作基板工藝低的問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本發明提供一種芯片封裝方法,包括以下步驟:
提供一承載基板,于所述承載基板的一面形成粘附層;
于所述粘附層背離所述承載基板的一面形成重新布線層,所述重新布線層包括至少一介質層及至少一導電互連層;
形成第一凹槽及導電柱于所述重新布線層背離所述承載基板的一面,且所述第一凹槽的底部顯露出所述導電互連層,所述導電柱與所述導電互連層電連接;
形成被動組件層于所述重新布線層背離所述承載基板的一面,且所述被動組件層包括至少一被動組件,所述被動組件通過所述第一凹槽與所述導電互連層電連接;
形成覆蓋所述導電柱及所述被動組件層的封裝膠層于所述重新布線層背離所述承載基板的一面;
依次形成凸塊下金屬層及與所述凸塊下金屬層電連接的導電凸塊于所述封裝膠層背離所述承載基板的一面,且所述凸塊下金屬層與所述導電柱電連接;
形成第二凹槽于所述重新布線層背離所述封裝層的一面以形成被動組件基板層,且所述第二凹槽的底部顯露出所述導電互連層;
切割所述被動組件基板層以得到被動組件基板,并通過所述第二凹槽將所述被動組件基板與芯片的電極電連接。
可選地,所述導電柱突出于所述重新布線層的高度大于所述被動組件層突出于所述重新布線層的高度。
可選地,在形成所述封裝膠層之后,形成所述凸塊下金屬層之前,還包括以下步驟:減薄除所述封裝膠層背離所述承載基板的一面以顯露出所述導電柱,且未顯露出所述被動組件層。
可選地,在減薄所述封裝膠層背離所述承載基板的一面,形成所述凸塊下金屬層之前,還包括以下步驟:形成介電層于所述封裝膠層背離所述重新布線層的一面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





