[發(fā)明專利]一種適用于高速激光器芯片封裝的硅基板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210413905.6 | 申請日： | 2022-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN114725770A | 公開（公告）日： | 2022-07-08 |
| 發(fā)明（設計）人： | 徐建衛(wèi);汪鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海矽安光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/0232 | 分類號： | H01S5/0232;H01S5/02345;H01S5/02355 |
| 代理公司： | 上海百一領御專利代理事務所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 楊孟娟 |
| 地址： | 200233 上海市徐匯*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 適用于 高速 激光器 芯片 封裝 硅基板 | ||
1.一種適用于高速激光器芯片封裝的硅基板，其特征在于，包括：硅襯底，在所述硅襯底的表面設有共面波導結(jié)構(gòu)，在所述硅襯底的信號線兩側(cè)的接地金屬區(qū)還分布有通孔；在所述硅襯底的背面設有金屬接地層，其中，所述接地金屬區(qū)與所述金屬接地層連接；所述硅襯底的背面還貼合有低阻硅片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于高速激光器芯片封裝的硅基板，其特征在于，所述硅襯底的厚度為100～500um之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于高速激光器芯片封裝的硅基板，其特征在于，所述共面波導結(jié)構(gòu)采用鈦、金、鋁、銅、銀或鉑制成；和/或，所述共面波導結(jié)構(gòu)的厚度在0.1～2μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于高速激光器芯片封裝的硅基板，其特征在于，所述接地金屬區(qū)采用鈦、金、鋁、銅、銀或鉑制成；和/或，所述接地金屬區(qū)的厚度在0.1～2μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于高速激光器芯片封裝的硅基板，其特征在于，所述金屬接地層采用鈦、銅、鋁、銀或錫制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于高速激光器芯片封裝的硅基板，其特征在于，所述通孔內(nèi)填充有第一導電材料，其中，所述第一導電材料包括：鈦、金、銅或鋁。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的適用于高速激光器芯片封裝的硅基板，其特征在于，在所述通孔的側(cè)壁還設有一層二氧化硅，所述二氧化硅的厚度范圍0.1～1μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的適用于高速激光器芯片封裝的硅基板，其特征在于，在所述硅襯底和所述金屬接地層之間還設有一層二氧化硅，所述二氧化硅的厚度范圍0.1～1μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的適用于高速激光器芯片封裝的硅基板，其特征在于，所述硅襯底的背面通過第二導電材料貼合所述低阻硅片，所述第二導電材料包括金-錫、銅-錫或銀-錫共晶薄膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的適用于高速激光器芯片封裝的硅基板，其特征在于，所述低阻硅片的厚度為100～500um。
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