[發明專利]一種化合物、其制備方法及包含該化合物的圓偏振發光材料有效
| 申請號： | 202210411690.4 | 申請日： | 2022-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN114773393B | 公開（公告）日： | 2023-10-27 |
| 發明（設計）人： | 鐘羽武;但體雄;龔忠亮;姚建年 | 申請（專利權）人： | 中國科學院化學研究所 |
| 主分類號： | C07F15/00 | 分類號： | C07F15/00;C09K11/06;G02B1/04;G02B5/30 |
| 代理公司： | 北京天達知識產權代理事務所有限公司 11386 | 代理人： | 吳婭妮 |
| 地址： | 100190 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 化合物 制備 方法 包含 偏振 發光 材料 | ||
1.一種化合物，具有式I所示結構：
2.根據權利要求1所述的化合物，其選自下述化合物：
3.一種權利要求1或2所述的化合物的制備方法，包括如下步驟：
S1：通過化合物C1制得化合物C2，所述化合物C1和所述化合物C2的結構式如下：
S2：通過所述化合物C2制得化合物C3，所述化合物C3的結構式如下：
S3：通過所述化合物C3制得化合物C4，所述化合物C4的結構式如下：
S4：通過所述化合物C4制得所述式I化合物。
4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述化合物C1的制備工藝包括：將2,6-二溴異煙酸與氯化亞砜反應，制得2,6-二溴異煙酸酰氯；以及
將所述2,6-二溴異煙酸酰氯與亮氨酸甲酯鹽酸鹽反應，制得所述化合物C1；和/或，
所述步驟S1包括：將所述化合物C1與2-三丁基錫吡啶反應，制得所述化合物C2；和/或，
所述步驟S2包括：將所述化合物C2與苯硼酸反應，制得所述化合物C3；和/或，
所述步驟S3包括：將所述化合物C3與四氯亞鉑酸鉀反應，制得所述化合物C4；和/或，
所述步驟S4包括：將所述化合物C4與2,6-二甲基苯異腈反應，制得所述式I化合物。
5.一種圓偏振發光材料，包括權利要求1或2所述的化合物。
6.一種發光或顯示器件，包括權利要求5所述的圓偏振發光材料。
7.一種圓偏振發光薄膜，包括權利要求1或2所述的化合物。
8.根據權利要求7所述的圓偏振發光薄膜，其量子產率為30～40％，和/或，發光不對稱因子的絕對值為0.01～0.06，進一步為0.03～0.06，再進一步為0.04～0.06，更進一步為0.05～0.06。
9.一種圓偏振發光薄膜的制備方法，包括將權利要求1或2所述的化合物通過溶劑法成膜；其中，所使用的溶劑包括第一溶劑和第二溶劑，所述第一溶劑包括二氯甲烷、氯仿、1,2-二氯乙烷中的一種或多種；所述第二溶劑包括正己烷、環己烷、正庚烷中的一種或多種。
10.根據權利要求9所述的方法，其中，在所述溶劑中，所述第一溶劑的體積含量為20～70％，進一步為50～70％，再進一步為50～60％；所述第二溶劑的體積含量為30～80％，進一步為30～50％，再進一步為40～50％。
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