[發明專利]一種GaAs單晶的生長方法有效
| 申請號： | 202210410996.8 | 申請日： | 2022-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN114574939B | 公開（公告）日： | 2023-03-14 |
| 發明（設計）人： | 周雯婉 | 申請（專利權）人： | 北京通美晶體技術股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 101149 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gaas 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種GaAs單晶生長方法，其特征在于，所述單晶生長方法具體包括以下步驟：坩堝預處理、生長準備、晶體生長以及退火處理；
其中，所述坩堝預處理步驟中，將鎢鉬合金噴涂至石墨坩堝內表面，在石墨坩堝內表面形成鎢鉬涂層，得到厚度為50-150μm的鎢鉬涂層坩堝；所述鎢鉬涂層包含以下化學成分：按質量百分比計，鎢25-45%、鉬55%-75%；
所述單晶生長方法中，鎢鉬涂層坩堝的環境溫度分為高溫區、恒溫區、低溫區；所述高溫區的溫度為1400-1500℃，所述低溫區的溫度為1100-1200℃；
所述晶體生長步驟中，鎢鉬涂層坩堝的降溫速率為30-50℃/h；
所述退火處理步驟中，鎢鉬涂層坩堝的降溫速率為100-120℃/h。
2.根據權利要求1所述的GaAs單晶生長方法，其特征在于，所述鎢鉬涂層中包含以下化學成分：按質量百分比計，鎢30-40%、鉬60%-70%。
3.根據權利要求1所述的GaAs單晶生長方法，其特征在于，所述鎢鉬涂層的厚度為80-120μm。
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