[發明專利]一種適用于鎘污染農田的水稻栽培方法

在審

• 申請號: 202210410278.0
• 申請日: 2022-04-19
• 公開（公告）號: CN114793798A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 周靜;游來勇;梁家妮;慈凱東;劉夢麗;寇樂勇
• 申請（專利權）人: 中國科學院南京土壤研究所;江西潔地環境治理生態科技有限公司
• 主分類號: A01G22/22
• 分類號: A01G22/22;A01C21/00
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 薛紅凡

本發明提供了一種適用于鎘污染農田的水稻栽培方法，屬于農業種植技術領域。本發明提供了一種適用于鎘污染農田的水稻高產低鎘栽培的方法，將有機肥和復合肥施入鎘污染農田中，整地，覆膜打孔，移栽水稻和水分管理。本發明能有效避免因稻田的排水落干造成Cd的活化，有效提高耕層土壤養分，增加了根系密度，提高稻米的有效穗數和穗粒數，實現水稻高產低鎘雙贏的栽培技術方法。

本申請要求于2022年04月02日提交中國專利局、申請號為202210351783.2、發明名稱為“一種適用于鎘污染農田的水稻栽培方法”的中國專利申請的優先權，其全部內容通過引用結合在本申請中。

技術領域

本發明屬于農業種植技術領域，具體涉及一種適用于鎘污染農田的水稻栽培方法。

背景技術

鎘已成為耕地土壤最主要污染物，鎘經過水稻-食物鏈傳遞嚴重威脅人體健康，相關研究認為我國非吸煙人群Cd的主要暴露途徑來自于大米攝入，因此，實現鎘中輕度超標耕地土壤的安全利用已成為我國農業環境領域亟待解決的重大問題之一。

持續淹水是降低糙米Cd的重要方式之一，然而水稻生產過程中的水分管理，普遍存在生育后期的排水落干，其中大部分以人為主動排干，也因地勢較高，保墑蓄水能力差，或因季節性干旱等自然因素導致水稻土排水落干，相關研究表明水稻糙米中90％以上鎘的積累主要集中水稻生育后期(灌漿期-成熟期)階段，其中尤其是水稻栽培過程中生育后期(灌漿期-成熟期)排水導致CdS的氧化釋放對當季稻米Cd起主要貢獻，因此如何避免生育后期排水導致Cd釋放對于保證受鎘污染稻田的安全利用顯得極為重要。

目前關于治理鎘污染水稻的方法主要有：提高土壤pH，降低土壤Cd的有效性(重金屬鈍化/穩定化材料，持續淹水)，降低鎘向水稻吸收能力和籽粒遷移能力(采用低積累水稻品種，葉面阻控，提前收割)等方式，以上方式普遍存在精準性差(關鍵生育期)，操作繁瑣，成本高，種植戶接受程度低，不同地區/土壤類型間效果差異大，且大部分措施都有水稻減產風險。因此研發一種既能增加水稻產量和降低鎘含量技術方法，是實現水稻安全生產和技術轉化和推廣現實需要，也是實現中輕度鎘污染農田安全利用，對于保障水稻的數量和質量安全具有重要意義。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種適用于鎘污染農田的水稻栽培方法，克服現有技術不能同時實現增產和降鎘的缺陷，實現降鎘的同時提高水稻產量，該方法可以有效解決水稻降鎘和增產難以同時實現的技術難題。

本發明提供了一種適用于鎘污染農田的水稻栽培方法，包括以下步驟：

將有機肥和復合肥施入鎘污染農田中，整地，覆膜打孔，移栽水稻苗，水分管理。

優選的，所述有機肥的施入量為100～500kg/畝。

優選的，所述復合肥的施入量為100～200kg/畝。

優選的，所述鎘污染農田中鎘的濃度為0.3～1.5mg/kg。

優選的，所述整地包括旋耕、開溝起廂和平整廂面。

優選的，所述旋耕的深度為20～25cm。

優選的，所述開溝起廂的方法為將溝的方向與風向保持一致；廂面的寬度為1.5～3m，溝的寬為20～40cm，溝的深度為15～20cm。

優選的，所述覆膜打孔的膜孔直徑為5～10cm，所述膜為8絲以上的黑色聚乙烯膜或者HDPE膜。

優選的，所述水稻苗的行距為20～30cm，株距為10～20cm，穴數為20萬～25萬/畝。

優選的，所述水分管理包括在分蘗期-灌漿期為淺淹水，在成熟期前10天排水。