[發(fā)明專(zhuān)利]積層體及彈性波裝置的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210408378.X
• 申請(qǐng)日: 2022-04-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114696778A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 門(mén)川裕;中村博文;熊谷浩一
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三安日本科技株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H03H9/08
• 分類(lèi)號(hào): H03H9/08;H03H9/13;H03H3/04
• 代理公司: 北京泰吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11355
• 代理人: 史瞳;謝瓊慧

一種積層體與彈性波裝置的制造方法，所述積層體包含形成有多個(gè)單元功能元件的壓電晶圓，與借由導(dǎo)電性材料接合于所述壓電晶圓的布線基板，所述布線基板的熱膨脹系數(shù)與所述壓電晶圓中熱膨脹系數(shù)最大的第1方向的熱膨脹系數(shù)相同，所述布線基板具有最大熱膨脹系數(shù)的方向與所述第1方向略平行。借此，可提供一種能提升產(chǎn)量的積層體與彈性波裝置的制造方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種積層體及彈性波裝置的制造方法。

背景技術(shù)

日本專(zhuān)利文獻(xiàn)1(特開(kāi)2020-184703)示例一種彈性波裝置。在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載，一旦在由具有相異的熱膨脹系數(shù)的基板接合而成的復(fù)合基板上搭載使用凸塊等連接層的基板，所述復(fù)合基板會(huì)因?yàn)闊釕?yīng)變而對(duì)所述連接層產(chǎn)生熱應(yīng)力。在所述專(zhuān)利文獻(xiàn)1中也討論了切單處理后的裝置芯片的熱膨脹系數(shù)。

彈性波裝置的制造有高產(chǎn)量的需求。然而，專(zhuān)利文獻(xiàn)1示例的技術(shù)中，因?yàn)橐獙⑶袉翁幚砗蟮难b置芯片以覆晶接合技術(shù)安裝至基板，處理較為復(fù)雜，而有進(jìn)一步提升產(chǎn)量的需求。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)有鑒于上述問(wèn)題，目的在于提供一種能提升產(chǎn)量的積層體與彈性波裝置的制造方法。

本公開(kāi)積層體，包含形成有多個(gè)單元功能元件的壓電晶圓，與借由導(dǎo)電性材料接合于所述壓電晶圓的布線基板，所述布線基板的熱膨脹系數(shù)與所述壓電晶圓中熱膨脹系數(shù)最大的第1方向的熱膨脹系數(shù)相同，所述布線基板具有最大熱膨脹系數(shù)的方向與所述第1方向平行。

本公開(kāi)的一種形態(tài)，在與所述第1方向正交的第2方向，所述布線基板的熱膨脹系數(shù)與所述壓電晶圓的熱膨脹系數(shù)相同。

本公開(kāi)的一種形態(tài)，所述布線基板沿平行于所述第1方向的方向，設(shè)有熱膨脹系數(shù)比所述布線基板的基材的熱膨脹系數(shù)小的第1熱膨脹調(diào)整部，且沿平行于所述第2方向的方向，設(shè)有熱膨脹系數(shù)比所述布線基板的基材的熱膨脹系數(shù)小的第2熱膨脹調(diào)整部，所述第2熱膨脹調(diào)整部的密度大于所述第1熱膨脹調(diào)整部的密度。

本公開(kāi)的一種形態(tài)，所述第1熱膨脹調(diào)整部與所述第2熱膨脹調(diào)整部為預(yù)浸料纖維。

本公開(kāi)的一種形態(tài)，所述布線基板沿平行于所述第1方向的方向，設(shè)有熱膨脹系數(shù)比所述布線基板的基材的熱膨脹系數(shù)大的第3熱膨脹調(diào)整部，且沿平行于所述第2方向的方向，設(shè)有熱膨脹系數(shù)比所述布線基板的基材的熱膨脹系數(shù)大的第4熱膨脹調(diào)整部，所述第3熱膨脹調(diào)整部的密度大于所述第4熱膨脹調(diào)整部的密度。

本公開(kāi)的一種形態(tài)，所述第3熱膨脹調(diào)整部與所述第4熱膨脹調(diào)整部為玻璃或銅。

本公開(kāi)的一種形態(tài)，所述壓電晶圓包含鉭酸鋰。

本公開(kāi)彈性波裝置的制造方法，包含：

第1步驟：在壓電晶圓上形成多個(gè)單元功能元件；

第2步驟：制作熱膨脹系數(shù)與所述壓電晶圓中熱膨脹系數(shù)最大的第1方向的熱膨脹系數(shù)相同的布線基板；及

第3步驟：讓所述布線基板具有最大熱膨脹系數(shù)的方向與所述第1方向?qū)R，并將所述壓電晶圓貼合于所述布線基板。

本公開(kāi)的一種形態(tài)，在與所述第1方向正交的第2方向，所述布線基板的熱膨脹系數(shù)與所述壓電晶圓的熱膨脹系數(shù)相同。

本公開(kāi)的一種形態(tài)，在第2步驟中，在所述布線基板沿平行于所述第1方向的方向，設(shè)置熱膨脹系數(shù)比所述布線基板的基材的熱膨脹系數(shù)小的第1熱膨脹調(diào)整部，且沿平行于所述第2方向的方向，設(shè)置熱膨脹系數(shù)比所述布線基板的基材的熱膨脹系數(shù)小的第2熱膨脹調(diào)整部，所述第2熱膨脹調(diào)整部的密度大于所述第1熱膨脹調(diào)整部的密度。