[發明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202210408010.3 | 申請日: | 2022-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN114743991A | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發明(設計)人: | 王宏煜;陳榕;賴國昌 | 申請(專利權)人: | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444 | 代理人: | 張育英 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發明實施例提供了一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置,涉及顯示技術領域,用于提高顯示面板的PPI,以及提高顯示面板中薄膜晶體管動作的準確性。顯示面板包括:襯底;薄膜晶體管,薄膜晶體管包括柵極、第一電極、第二電極和半導體層;沿垂直于顯示面板所在平面的方向,第二電極位于第一電極遠離襯底的一側,半導體層與柵極至少部分交疊;第一電極和第二電極均與半導體層電連接;屏蔽層;沿垂直于顯示面板所在平面的方向,屏蔽層位于第一電極和半導體層之間。
【技術領域】
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術】
隨著顯示技術的不斷發展,消費者對于顯示屏的要求不斷提升。目前,包括液晶顯示屏和有機發光顯示屏等在內的各類顯示器層出不窮。在此基礎上還發展出了兼具觸控、柔性、3D等功能的顯示屏。目前,顯示面板實現高分辨率顯示的工藝較為復雜,成本較高。
【發明內容】
有鑒于此,本發明實施例提供了一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置,用以提高顯示面板的PPI,以及提高顯示面板中薄膜晶體管動作的準確性。
一方面,本發明實施例提供了一種顯示面板,包括:
襯底;
薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括柵極、第一電極、第二電極和半導體層;沿垂直于所述顯示面板所在平面的方向,所述第二電極位于所述第一電極遠離所述襯底的一側,所述半導體層與所述柵極至少部分交疊;所述第一電極和所述第二電極均與所述半導體層電連接;
屏蔽層;沿垂直于所述顯示面板所在平面的方向,所述屏蔽層位于所述第一電極和所述半導體層之間。
另一方面,本發明實施例提供了一種顯示面板的制備方法,包括:
提供襯底;
在所述襯底的一側形成第一電極;
在所述第一電極遠離所述襯底的一側形成半導體層、第二電極、柵極和屏蔽層;沿垂直于所述顯示面板所在平面的方向,所述半導體層與所述柵極至少部分交疊;所述第一電極和所述第二電極均與所述半導體層電連接,以形成包括半導體層、第一電極、第二電極和柵極的薄膜晶體管;所述屏蔽層位于所述第一電極和所述半導體層之間。
再一方面,本發明實施例提供了一種顯示裝置,包括上述的顯示面板。
本發明實施例提供的顯示面板及其制備方法、顯示裝置,沿垂直于顯示面板所在平面的方向,通過將第二電極設置于第一電極遠離襯底的一側,與將第一電極和第二電極同層設置相比,在保證第一電極和第二電極的良好絕緣的情況下,可以將第一電極和第二電極在平行于襯底所在平面的方向上的距離盡量的壓縮,有利于提高像素的開口率,進而提高顯示面板的PPI。而且,本發明實施例通過在顯示面板中設置位于第一電極和半導體層之間的屏蔽層,在顯示面板進行顯示時,可以降低第一電極和半導體層之間的信號干擾,有利于提高薄膜晶體管動作的準確性。
【附圖說明】
為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。
圖1為本發明實施例提供的一種薄膜晶體管的俯視示意圖;
圖2為圖1沿AA’的一種截面示意圖;
圖3為圖1沿BB’的一種截面示意圖;
圖4為圖1沿CC’的一種截面示意圖;
圖5為本發明實施例提供的另一種薄膜晶體管的俯視示意圖;
圖6為圖5沿DD’的一種截面示意圖;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廈門天馬微電子有限公司,未經廈門天馬微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210408010.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種用于存放前進內齒的裝置
- 下一篇:一種印刷電路板加工清洗裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





