[發(fā)明專利]一種鐵電拓?fù)洚牻Y(jié)構(gòu)及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210407875.8 | 申請(qǐng)日: | 2022-04-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114843398A | 公開(公告)日: | 2022-08-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 田國;義鑫;高興森 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華南師范大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L45/00 | 分類號(hào): | H01L45/00;H01L27/24;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 廣州新諾專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44100 | 代理人: | 辜丹蕓 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市番禺區(qū)廣州大*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 拓?fù)?/a> 結(jié)構(gòu) 及其 制備 方法 | ||
1.一種鐵電拓?fù)洚牻Y(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
S1:采用脈沖激光沉積法在(001)方向的STO單晶襯底上沉積一層SRO導(dǎo)電層作為底電極;
S2:在步驟S1制得的SRO底電極表面鋪展單層PS小球作為掩模板,再用氧等離子體刻蝕處理,然后置于離子束刻蝕機(jī)中進(jìn)行刻蝕,最后去除殘留的單層PS小球掩模板,得到SRO納米點(diǎn)陣列底電極;
S3:選擇BFO靶材,采用脈沖激光沉積法在步驟S2制得的SRO納米點(diǎn)陣列底電極上沉積一層菱方相的BFO薄膜形成納米點(diǎn)陣列,其為中心型拓?fù)洚牻Y(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鐵電拓?fù)洚牻Y(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于:步驟S1中,所述SRO導(dǎo)電層厚度為30~60nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鐵電拓?fù)洚牻Y(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于:步驟S2中,所述SRO納米點(diǎn)陣列底電極的刻蝕深度為20~50nm,且刻蝕深度小于所述SRO導(dǎo)電層的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鐵電拓?fù)洚牻Y(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于:步驟S3中,所述的菱方相的BFO薄膜厚度為50nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鐵電拓?fù)洚牻Y(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于:步驟S2包括以下步驟:
S21:在盛滿去離子水的培養(yǎng)皿中滴入直徑為500nm的PS小球與乙醇的混合溶液,加入分散劑,使PS小球在去離子水表面呈單層緊密排列;
S22:將步驟S2制得的樣品用氧等離子體處理3分鐘;
S23:用鑷子將處理后的樣品置于單層PS小球下方,然后輕輕地水平提出;待水分自然蒸發(fā)后,SRO薄膜表面形成一層單層緊密排列的PS小球;
S24:將附有PS小球掩模板的SRO薄膜樣品放置于氧等離子體刻蝕機(jī)中處理40~50分鐘,從而削小PS小球的直徑,使緊密排列的PS小球分離;
S25:將步驟S24得到的樣品置于離子束刻蝕機(jī)中進(jìn)行刻蝕;
S26:去除殘留的單層PS小球掩模板,得到有序的SRO納米點(diǎn)陣列底電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鐵電拓?fù)洚牻Y(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于:步驟S25中,在真空度為8.0×10-4Pa,室溫條件下,保持離子束刻蝕系統(tǒng)的陰極電流為17.8A,陽極電壓為50V,屏極電壓為300V,加速電壓為250V,中和電流為13A,偏置電壓為1.2V,進(jìn)行刻蝕90秒。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鐵電拓?fù)洚牻Y(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于:步驟S26中,將步驟S25得到的樣品分別置于氯仿、酒精以及去離子水中浸泡并用超聲清洗15~20分鐘,取出后用氮?dú)鈽尨蹈桑儆玫凸β恃醯入x子清洗表面4~6分鐘,即可得到有序的表面干凈的SRO納米點(diǎn)陣列底電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鐵電拓?fù)洚牻Y(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于:步驟S1中,脈沖激光沉積法的制備參數(shù)為:能量為300mJ/cm3,脈沖頻率為8Hz,溫度為660℃,氧氣壓為15Pa。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鐵電拓?fù)洚牻Y(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于:步驟S3中,脈沖激光沉積法的制備參數(shù)為:能量為300mJ/cm3,脈沖頻率為8Hz,溫度為730℃,氧氣壓為20Pa。
10.一種鐵電拓?fù)洚牻Y(jié)構(gòu),其特征在于:采用如權(quán)利要求1~9任一項(xiàng)所述的制備方法制備而成,其為面外具有“十字形”緩沖疇的中心型拓?fù)洚牻Y(jié)構(gòu),并且面內(nèi)具有一個(gè)相反襯度的條帶疇。
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