[發明專利]晶圓單面化學鍍方法、半導體器件制造方法及半導體器件在審
| 申請號： | 202210407375.4 | 申請日： | 2022-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN114899126A | 公開（公告）日： | 2022-08-12 |
| 發明（設計）人： | 楊凌輝;黎哲;鄧方圓;吳榮成;劉晗 | 申請（專利權）人： | 紹興中芯集成電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/683;C23C18/16 |
| 代理公司： | 紹興市知衡專利代理事務所(普通合伙) 33277 | 代理人： | 鄧愛民 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單面 化學 方法 半導體器件 制造 | ||
1.晶圓單面化學鍍方法，其特征在于，包括：
提供一側形成Taiko環的晶圓；
提供剛性支撐板；
將所述Taiko環的端面與所述剛性支撐板緊密相連；
將所述緊密相連的所述晶圓以及所述剛性支撐板進行化學鍍處理；
分離所述化學鍍處理后的所述晶圓與所述剛性支撐板。
2.根據權利要求1所述的晶圓單面化學鍍方法，其特征在于：將所述Taiko環的端面與所述剛性支撐板緊密相連包括：在所述剛性支撐板的一側表面和/或所述Taiko環的端面涂覆臨時鍵合膠，將所述Taiko環的端面與所述剛性支撐板粘接，然后固化處理。
3.根據權利要求2所述的晶圓單面化學鍍方法，其特征在于：所述臨時鍵合膠包括光敏膠和LTHC涂布液，所述剛性支撐板采用透光板；
所述LTHC涂布液涂覆于所述剛性支撐板的一側表面，然后進行第一次固化形成LTHC涂層；
在所述Taiko環的端面涂覆所述光敏膠，將所述剛性支撐板具有所述LTHC涂層的一面與所述Taiko環的端面上的所述光敏膠粘接，然后進行第二次固化。
4.根據權利要求3所述的晶圓單面化學鍍方法，其特征在于：所述剛性支撐板采用玻璃板或亞克力板。
5.根據權利要求3所述的晶圓單面化學鍍方法，其特征在于：所述第一次固化采用加熱固化的方式，所述第一次固化的溫度為220℃～300℃，所述第一次固化的時間為200s～300s。
6.根據權利要求3所述的晶圓單面化學鍍方法，其特征在于：所述第二次固化采用紫外線照射固化的方式。
7.根據權利要求3所述的晶圓單面化學鍍方法，其特征在于：所述分離所述化學鍍處理后的所述晶圓與所述剛性支撐板采用激光照射方式。
8.半導體器件制造方法，其特征在于：包括如權利要求1-7任一項所述的晶圓單面化學鍍方法。
9.半導體器件，其特征在于：采用如權利要求8所述的半導體器件制造方法制造而成。
10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于：所述半導體器件為IGBT。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
