[發明專利]一種提高HIT電池效率的結構和方法

在審

• 申請號: 202210406789.5
• 申請日: 2022-04-19
• 公開（公告）號: CN114497291A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 唐先勝;韓麗麗;王兆偉;宮衛華
• 申請（專利權）人: 山東省科學院激光研究所
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L31/0747
• 代理公司: 濟南龍瑞知識產權代理有限公司 37272
• 代理人: 張俊濤

1.一種提高HIT電池效率的結構，包括Al電極（6），其特征在于：

所述Al電極（6）設置在最底部，Al電極（6）的上層連接N型硅片（1），N型硅片（1）的上層連接納米金（2），納米金（2）嵌入本征非晶硅層（3），本征非晶硅層（3）的上層連接P型非晶硅層（4），P型非晶硅層（4）的上層連接P型透明導電層（5），P型透明導電層（5）的上層連接Ag電極（7）。

2.根據權利要求1所述的提高HIT電池效率的結構，其特征在于：

所述納米金（2）的厚度為2nm~5nm，尺寸為百納米量級；

所述P型透明導電層（5）的材料包括ITO、TCO、IZO；

所述Ag電極（7）的制備方式包括絲網印刷、電子束蒸發、濺射。

3.一種基于權利要求1-2任意一項所述的提高HIT電池效率的結構的方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，將N型硅片（1）進行RCA清洗；

S2，在N型硅片（1）的拋光面進行制絨處理；

S3，利用光刻顯影技術，在硅片的制絨面定義圖形；

S4，利用金屬沉積技術，沉積金層；

S5，在剝離掉無用區域的金后，在氮氣氛圍進行退火處理；

S6，利用PECVD技術，在制絨面沉積10nm本征非晶硅層（3）；

S7，利用PECVD技術，繼續沉積10nmP型非晶硅層（4）；

S8，利用介質沉積技術，沉積100nmP型透明導電層（5）；

S9，利用金屬沉積技術，制備P面Ag電極（7）和N面Al電極（6）。

4.根據權利要求3所述的提高HIT電池效率的結構的方法，其特征在于：

所述S2具體為，將N型硅片（1）放入KOH溶液中，并將溶液加熱到80℃，進行制絨，形成金字塔絨面，陷光并減少表面反射；

所述S3具體為，利用光刻和顯影技術，在N型硅片（1）的絨面制備周期為5um、直徑為2um的圓形陣列圖形；

所述S4具體為，利用電子束蒸發技術，在N型硅片（1）的絨面沉積3nm厚的Au，沉積速率為0.5A/s。

5.根據權利要求3所述的提高HIT電池效率的結構的方法，其特征在于：

所述S5具體為，利用丙酮浸泡的方式，去除非定義區的Au；將晶圓放入到退火爐中進行退火處理，溫度為400℃，時間為1min，并在N₂保護氛圍中進行；該步驟之后得到納米金（2）。