[發(fā)明專利]一種控制鈣鈦礦晶體析出新晶相的方法及其應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210406231.7
• 申請日: 2022-04-18
• 公開（公告）號: CN115074126B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 董國平;李明佳;楊丹丹;黃雄健;章皓;楊中民;邱建榮
• 申請（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號: C09K11/66
• 分類號: C09K11/66;C01G21/00;C30B7/14;C30B29/12;C30B33/02;G09F3/00;G09F3/02
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 江裕強

1.一種控制鈣鈦礦晶體析出新晶相的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)制備CsPb₂X₅晶體或Cs₄PbX₆晶體，其中X為Cl、Br或I中的一種及以上；

(2)將脈沖激光聚焦在步驟(1)所得的晶體，控制脈沖激光輻照區(qū)域處，形成CsPbX₃晶相，其中X為Cl、Br或I中的一種及以上；所述脈沖激光的脈沖寬度在飛秒或皮秒量級；所述脈沖激光的平均功率為≥0.5mW，所述脈沖激光的輻照時間為≥0.1s。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種控制鈣鈦礦晶體析出新晶相的方法，其特征在于，所述步驟(2)中，所述脈沖激光的聚焦系統(tǒng)的物鏡數(shù)值孔徑為0.15～0.90。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種控制鈣鈦礦晶體析出新晶相的方法，其特征在于，步驟(2)所述輻照區(qū)域為脈沖激光的聚焦平面，包括晶體表面及晶體表面以下的任一平面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種控制鈣鈦礦晶體析出新晶相的方法，其特征在于，輻照區(qū)域的控制，包括控制單點脈沖激光形成的點狀輻照、移動脈沖激光或移動三維加工平臺形成的連續(xù)多點輻照，所述晶體置于移動三維加工平臺上。

5.權(quán)利要求1-4任一項所述控制鈣鈦礦晶體析出新晶相的方法應(yīng)用于圖案化和防偽。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述控制鈣鈦礦晶體析出新晶相的方法應(yīng)用于圖案化和防偽，其特征在于，控制CsPb₂X₅晶體析出CsPbX₃晶相，然后對晶體整體進行水處理，脈沖激光輻照區(qū)域在紫外輻照下發(fā)光，即讀取此區(qū)域構(gòu)成的圖案；水自然蒸發(fā)后，晶體整體，即脈沖激光輻照區(qū)域和未受脈沖激光輻照區(qū)域二者均在紫外輻照下發(fā)光，不可分辨脈沖激光輻照區(qū)域的發(fā)光，即加密脈沖激光輻照區(qū)域構(gòu)成的圖案。