[發(fā)明專利]一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210404843.2 | 申請日: | 2022-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN114628414A | 公開(公告)日: | 2022-06-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 程磊磊;劉杰;王海濤;周斌 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京柏杉松知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 何家鵬;孟維娜 |
| 地址: | 230012 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 制作方法 | ||
本申請實施例提供了一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制作方法,顯示面板包括襯底基板、多個像素單元、第一鈍化層和平坦化層;多個像素單元位于襯底基板上且呈矩陣分布,至少一個像素單元包括晶體管和與晶體管連接的像素電極,晶體管包括源漏金屬層;第一鈍化層位于晶體管遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè);平坦化層位于第一鈍化層遠(yuǎn)離晶體管的一側(cè),平坦化層上設(shè)有第一過孔,像素電極通過第一過孔與源漏金屬層連接。本申請實施例提供的顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制作方法,可以降低顯影液滲入晶體管的概率,提高顯示面板良率及顯示效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制作方法。
背景技術(shù)
本部分提供的僅僅是與本申請相關(guān)的背景信息,其并不必然是現(xiàn)有技術(shù)。
高精度OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機電致發(fā)光顯示面板)產(chǎn)品具有顯示性能好等優(yōu)點,因此人們對高精度OLED產(chǎn)品的需求越發(fā)廣泛。大尺寸OLED技術(shù)中,為提升TFT(Thin Film Transisitor,薄膜晶體管)的電容,通常使用具有高介電常數(shù)的材料做平坦化層材料,例如使用較為廣泛的亞克力有機材料。
相關(guān)技術(shù)中,由于平坦化層為高介電常數(shù)的有機材料,在平坦化層刻蝕形成開孔結(jié)構(gòu)過程中,顯影液可能會滲入TFT中的源漏金屬層,引起源漏金屬層腐蝕,使顯示面板內(nèi)部的電阻變大,顯示品質(zhì)降低。
發(fā)明內(nèi)容
本申請實施例的目的在于提供一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制作方法,以降低顯影液滲入晶體管的概率,提高顯示面板良率及顯示效果。具體技術(shù)方案如下:
本申請第一方面的實施例提供了一種顯示面板,所述顯示面板包括:
襯底基板;
多個像素單元,多個像素單元位于所述襯底基板上且呈矩陣分布,至少一個像素單元包括晶體管和與所述晶體管連接的像素電極,所述晶體管包括源漏金屬層;
第一鈍化層,所述第一鈍化層位于所述晶體管遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);
平坦化層,所述平坦化層位于所述第一鈍化層遠(yuǎn)離所述晶體管的一側(cè),所述平坦化層上設(shè)有第一過孔,所述像素電極通過所述第一過孔與所述源漏金屬層連接。
一些實施例中,所述第一鈍化層的材料包括聚二甲基硅氧烷PDMS。
一些實施例中,所述顯示面板還包括位于所述第一鈍化層遠(yuǎn)離所述晶體管的一側(cè)的第二鈍化層。
一些實施例中,所述顯示面板還包括位于所述第二鈍化層遠(yuǎn)離所述晶體管的一側(cè)的第三鈍化層。
一些實施例中,所述第一鈍化層的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅中的至少一種;所述第二鈍化層的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅中的至少一種;所述第三鈍化層的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅中的至少一種。
一些實施例中,所述第一鈍化層、所述第二鈍化層和所述第三鈍化層的材料均不同。
一些實施例中,所述第一鈍化層的厚度為至所述第二鈍化層的厚度為至所述第三鈍化層的厚度為至
一些實施例中,所述第一過孔包括設(shè)于所述平坦化層的第一孔段,及設(shè)于所述第一鈍化層及所述第二鈍化層的第二孔段,所述第一孔段的孔壁在所述襯底基板上的投影位于所述第二孔段的孔壁在所述襯底基板上的投影的外側(cè)。
一些實施例中,所述晶體管還包括位于所述襯底基板的一側(cè)且依次設(shè)置的有源層、第一柵極絕緣層、柵極金屬層、第二柵極絕緣層和層間電介質(zhì)層,所述柵極金屬層包括柵極;所述源漏金屬層包括源極和漏極,所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏極連接,所述源極和所述漏極與所述有源層過孔連接。
本申請第二方面的實施例提供了一種顯示面板的制作方法,包括:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





