[發明專利]一種碳電極介觀鈣鈦礦電池的制備方法及鈣鈦礦電池、組件、發電系統在審
| 申請號: | 202210400161.4 | 申請日: | 2022-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN114784197A | 公開(公告)日: | 2022-07-22 |
| 發明(設計)人: | 何嘉偉;陳剛 | 申請(專利權)人: | 浙江愛旭太陽能科技有限公司;珠海富山愛旭太陽能科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/48 | 分類號: | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44 |
| 代理公司: | 杭州信與義專利代理有限公司 33450 | 代理人: | 馬育妙 |
| 地址: | 322009 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電極 介觀鈣鈦礦 電池 制備 方法 鈣鈦礦 組件 發電 系統 | ||
1.一種碳電極介觀鈣鈦礦電池的制備方法,其特征在于,包括:
步驟S1:選取FTO導電玻璃作為透明導電基底或者選取玻璃基底1,在玻璃基底1上制備透明導電薄膜2,由在玻璃基底1與透明導電薄膜2組成透明導電基底;
步驟S2:在透明導電薄膜2上制備致密電子傳輸層3;
步驟S3:在致密電子傳輸層3上制備介孔電子傳輸層4;
步驟S4:采用無機鐵電體在介孔電子傳輸層4上制備鐵電間隔絕緣層5;
步驟S5:在鐵電間隔絕緣層5上制備碳電極6;
步驟S6:碳電極6上制備鈣鈦礦光吸收層7;
步驟S7:對鐵電間隔絕緣層5施加自鈣鈦礦光吸收層7指向玻璃基底1的方向的鐵電極化場,施加的鐵電極化場的強度大于鐵電間隔絕緣層5的鐵電矯頑場。
2.根據權利要求1所述的碳電極介觀鈣鈦礦電池的制備方法,其特征在于,步驟S4中,無機鐵電體采用PZT。
3.根據權利要求2所述的碳電極介觀鈣鈦礦電池的制備方法,其特征在于,鐵電間隔絕緣層5的通過以下步驟制備而得:
步驟L1:將PZT粉末研磨得到PZT納米晶;
步驟L2:將PZT納米晶加入去離子水中并攪拌得到PZT水溶膠;
步驟L3:將PZT水溶膠涂覆于介孔電子傳輸層4上,對介孔電子傳輸層4上涂覆的PZT水溶膠進行退火后制成鐵電間隔絕緣層5。
4.根據權利要求1所述的碳電極介觀鈣鈦礦電池的制備方法,其特征在于,透明導電薄膜2的構成材料為ITO錫摻氧化銦、FTO摻氟氧化錫、IWO鎢摻氧化銦、ICO鈰摻氧化銦中的一種。
5.根據權利要求1所述的碳電極介觀鈣鈦礦電池的制備方法,其特征在于,致密電子傳輸層3的構成材料為PCBM、TiO2、ZnO、SnO2、H-PDI、F-PDI中的至少一種。
6.根據權利要求1所述的碳電極介觀鈣鈦礦電池的制備方法,其特征在于,介孔電子傳輸層4的構成材料為PCBM、TiO2、ZnO、SnO2、H-PDI、F-PDI中的至少一種。
7.根據權利要求1所述的碳電極介觀鈣鈦礦電池的制備方法,其特征在于,鈣鈦礦光吸收層5的構成材料為有機無機雜化鈣鈦礦,其通式為ABX3;其中A為CH3NH3+(MA+)、CH(CH2)2+(FA+)、Cs+中的至少一種,B為Pb2+、Sn2+、Ge2+中的一種,X為Cl-、Br-、I-中的至少一種。
8.一種鈣鈦礦電池,其特征在于,應用如權利要求1-7所述的制備方法制備而成。
9.一種鈣鈦礦電池組件,其特征在于,由若干個通過權利要求1-7所述的制備方法制備而成的鈣鈦礦電池電性連接構成。
10.一種鈣鈦礦電池發電系統,其特征在于,包括若干個電性連接的如權利要求9所述的鈣鈦礦電池組件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





