[發(fā)明專利]一種應(yīng)用于自供能芯片系統(tǒng)的低漏電啟動電路

在審

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• 申請日: 2022-04-13
• 公開（公告）號: CN114567156A
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳漢
• 申請（專利權(quán)）人: 脈砥微電子（杭州）有限公司
• 主分類號: H02M1/36
• 分類號: H02M1/36
• 代理公司: 杭州天勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224
• 代理人: 王琛

1.一種應(yīng)用于自供能芯片系統(tǒng)的低漏電啟動電路，其特征在于，包括：二極管串聯(lián)電路、片上電容、反相器以及電平轉(zhuǎn)換器，其中：

所述二極管串聯(lián)電路的一端接系統(tǒng)片外儲能電容電壓VDD，另一端與片上電容的一端以及反相器的輸入端相連，片上電容的另一端接地，該電路用于判斷VDD與片上電容一端的電壓差，以此決定是否對片上電容進行充電；

所述電平轉(zhuǎn)換器以反相器的輸入和輸出作為一對互補的驅(qū)動信號，使片上電容電壓在GND與VDD兩種狀態(tài)下轉(zhuǎn)換，以保證輸出的啟動信號可直接用于系統(tǒng)其他電路模塊的開通和關(guān)斷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低漏電啟動電路，其特征在于：所述二極管串聯(lián)電路由多個NMOS管串聯(lián)組成，每個NMOS管的柵極與漏極相連，襯底接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低漏電啟動電路，其特征在于：所述二極管串聯(lián)電路中的NMOS管個數(shù)至少為兩個或兩個以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低漏電啟動電路，其特征在于：所述片上電容采用工藝所支持的MOM電容、MIM電容或MOS電容構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低漏電啟動電路，其特征在于：所述反相器的電源電壓由片上電容的電壓提供。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低漏電啟動電路，其特征在于：所述電平轉(zhuǎn)換器由兩組驅(qū)動管、驅(qū)動負載以及反相電路組成，具體包括三個NMOS管M_n1～M_n3以及五個PMOS管M_p1～M_p5，其中PMOS管M_p3的源極與PMOS管M_p4的源極以及PMOS管M_p5的源極相連并接VDD，PMOS管M_p3的漏極與PMOS管M_p4的柵極以及PMOS管M_p1的源極相連，PMOS管M_p4的漏極與PMOS管M_p3的柵極以及PMOS管M_p2的源極相連，PMOS管M_p1的柵極與NMOS管M_n1的柵極相連并接反相器的輸入端，PMOS管M_p1的漏極與NMOS管M_n1的漏極、PMOS管M_p5的柵極以及NMOS管M_n3的柵極相連，NMOS管M_n1的源極接地，PMOS管M_p2的柵極與NMOS管M_n2的柵極相連并接反相器的輸出端，PMOS管M_p2的漏極與NMOS管M_n2的漏極相連，NMOS管M_n2的源極接地，PMOS管M_p5的漏極與NMOS管M_n3的漏極相連并產(chǎn)生啟動信號，NMOS管M_n3的源極接地。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低漏電啟動電路，其特征在于：所述PMOS管M_p1與NMOS管M_n1連接構(gòu)成一組驅(qū)動管，PMOS管M_p2與NMOS管M_n2連接構(gòu)成另一組驅(qū)動管。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低漏電啟動電路，其特征在于：所述PMOS管M_p3與PMOS管M_p4交叉耦合連接作為驅(qū)動負載。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低漏電啟動電路，其特征在于：所述PMOS管M_p5與NMOS管M_n3連接構(gòu)成反相電路，連接片上電容電壓的驅(qū)動管產(chǎn)生的輸出信號經(jīng)過該反相電路調(diào)理后生成啟動信號，用于系統(tǒng)其他電路模塊開啟。