[發明專利]一種減小硅片擴散硼硅玻璃層厚度的硼膜制造方法

在審

• 申請號: 202210395191.0
• 申請日: 2022-04-15
• 公開（公告）號: CN114999903A
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發明（設計）人: 汪良恩;王錫康;姜蘭虎
• 申請（專利權）人: 山東芯源微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/228
• 分類號: H01L21/228
• 代理公司: 山東瑞宸知識產權代理有限公司 37268
• 代理人: 葛新建

1.一種減小硅片擴散硼硅玻璃層厚度的硼膜制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一液態硼擴散源制備，將含硼原料、粘合劑、分離劑和吸收劑按照一定比例加入配料槽混勻，得到液態硼擴散源；

步驟二液態硼擴散源沉淀形成固態硼擴散膜；

步驟三后處理，所述后處理過程中對固態硼擴散膜進行低溫干燥；

步驟四將干燥后的固體硼擴散膜切割成型；

步驟五分選。

2.根據權利要求1所述的減小硅片擴散硼硅玻璃層厚度的硼膜制造方法，其特征在于，所述分離劑為氧化鋁粉末；所述吸收劑為氫氧化鋁粉末；所述氧化鋁粉末和氫氧化鋁粉末的重量比為3:1～6:1。

3.根據權利要求2所述的減小硅片擴散硼硅玻璃層厚度的硼膜制造方法，其特征在于，所述含硼原料包括硼酸甲酯、硼酸乙酯、氧化硼、硝酸硼和硼酸中的一種或多種。

4.根據權利要求3所述的減小硅片擴散硼硅玻璃層厚度的硼膜制造方法，其特征在于，所述粘合劑為纖維素膠。

5.根據權利要求4所述的減小硅片擴散硼硅玻璃層厚度的硼膜制造方法，其特征在于，所述步驟二中將液態硼擴散源涂覆在金屬板表面沉淀形成固態硼擴散膜。

6.根據權利要求5所述的減小硅片擴散硼硅玻璃層厚度的硼膜制造方法，其特征在于，所述步驟三中采用紅外線照射方式對固態硼擴散膜進行干燥且干燥溫度低于100℃。

7.一種減小硅片硼擴散處理后表面硼硅玻璃層厚度的方法，其特征在于，把已表面處理后的硅片和權利要求1-6任一所述的分選后的固態硼擴散膜進行疊片，固態硼擴散膜貼合硅片待擴散硼的表面；然后將疊片裝入石英舟進行擴散處理。