[發(fā)明專利]工藝角的設(shè)置方法以及器件的設(shè)計方法

在審

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• 申請日: 2022-04-14
• 公開（公告）號: CN114742004A
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 薛小帝;洪波
• 申請（專利權(quán)）人: 海光信息技術(shù)股份有限公司
• 主分類號: G06F30/367
• 分類號: G06F30/367
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云;劉曉冰

一種工藝角的設(shè)置方法以及器件的設(shè)計方法。該工藝角的設(shè)置方法包括：確定晶圓的待測試區(qū)域；測量待測試區(qū)域中的多個待檢測器件的特性數(shù)據(jù)，獲取特性數(shù)據(jù)中至少部分的統(tǒng)計分布；根據(jù)特性數(shù)據(jù)以及統(tǒng)計分布獲取對第一電路模擬程序模型的調(diào)整參數(shù)；以及根據(jù)調(diào)整參數(shù)對第一電路模擬程序模型進行調(diào)整，以獲取待測試區(qū)域的第二電路模擬程序模型以及相應(yīng)的工藝角。該第二電路模擬程序模型可以更準(zhǔn)確的表征晶圓在特殊區(qū)域，例如邊緣區(qū)域的器件特性，進而為集成電路設(shè)計提供便利。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的實施例涉及一種工藝角的設(shè)置方法以及器件的設(shè)計方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體工業(yè)中，晶圓代工扮演著非常重要的角色，它將集成電路設(shè)計者的設(shè)計轉(zhuǎn)化為集成電路(Integrated Circuit，IC)芯片，從而可以制造各種各樣的電子產(chǎn)品。隨著移動設(shè)備、汽車相關(guān)產(chǎn)品需求的急劇增長，要求代工企業(yè)在更短的生產(chǎn)周期內(nèi)生產(chǎn)更多的IC芯片。

產(chǎn)能和成品率是保證單個晶圓滿足要求的兩個非常重要的因素。提高產(chǎn)能的一種方法是在單個晶圓上生產(chǎn)更多的IC芯片，因此在過去的幾十年里，半導(dǎo)體行業(yè)投入了大量資金來增加晶圓的尺寸。目前，晶圓尺寸已經(jīng)從100nm增加到300mm，并在將來向450mm方向發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

本公開至少一實施例提供一種工藝角的設(shè)置方法，該設(shè)置方法包括：確定晶圓的待測試區(qū)域；測量所述待測試區(qū)域中的多個待檢測器件的特性數(shù)據(jù)，獲取所述特性數(shù)據(jù)中至少部分的統(tǒng)計分布；根據(jù)所述特性數(shù)據(jù)和所述統(tǒng)計分布獲取對第一電路模擬程序模型的調(diào)整參數(shù)；以及根據(jù)所述調(diào)整參數(shù)對所述第一電路模擬程序模型進行調(diào)整，以獲取所述待測試區(qū)域的第二電路模擬程序模型以及相應(yīng)的工藝角。

例如，本公開至少一實施例提供的工藝角的設(shè)置方法中，測量所述待測試區(qū)域中多個待檢測器件的特性數(shù)據(jù)，獲取所述特性數(shù)據(jù)的統(tǒng)計分布，包括：在所述待測試區(qū)域中的芯片的不同位置設(shè)置器件測試結(jié)構(gòu)，并通過所述器件測試結(jié)構(gòu)測量所述多個待檢測器件的部分所述特性數(shù)據(jù)；在晶圓完成焊點后，利用測試機獲取所述多個待檢測器件的部分所述特性數(shù)據(jù)；以及獲取所述特性數(shù)據(jù)中至少部分的統(tǒng)計分布。

例如，本公開至少一實施例提供的工藝角的設(shè)置方法中，根據(jù)所述特性數(shù)據(jù)和所述統(tǒng)計分布獲取對所述第一電路模擬程序模型的調(diào)整參數(shù)，包括：獲取所述統(tǒng)計分布的第一特征數(shù)據(jù)；以及將所述第一特征數(shù)據(jù)與第一電路模擬程序模型的第二特征數(shù)據(jù)進行比對，以獲取對所述第一電路模擬程序模型的第一調(diào)整參數(shù)。

例如，本公開至少一實施例提供的工藝角的設(shè)置方法中，所述第一特征數(shù)據(jù)包括根據(jù)所述統(tǒng)計分布擬合的直線，所述第二特征數(shù)據(jù)包括所述第一電路模擬程序模型對應(yīng)的參考直線。

例如，本公開至少一實施例提供的工藝角的設(shè)置方法中，根據(jù)所述特性數(shù)據(jù)和所述統(tǒng)計分布獲取對所述第一電路模擬程序模型的調(diào)整參數(shù)，還包括：對所述特性數(shù)據(jù)中至少部分進行統(tǒng)計分布計算，得到標(biāo)準(zhǔn)差；以及基于所述標(biāo)準(zhǔn)差獲取對所述第一電路模擬程序模型的第二調(diào)整參數(shù)。

例如，本公開至少一實施例提供的工藝角的設(shè)置方法中，所述待測試區(qū)域包括晶圓的邊緣區(qū)域。

例如，本公開至少一實施例提供的工藝角的設(shè)置方法中，所述多個待檢測器件包括晶體管。

例如，本公開至少一實施例提供的工藝角的設(shè)置方法中，所述特性數(shù)據(jù)包括特性參數(shù)和/或特性曲線。

例如，本公開至少一實施例提供的工藝角的設(shè)置方法中，所述特性參數(shù)包括飽和區(qū)閾值電壓Vtsat、線性區(qū)閾值電壓Vtlin、有效驅(qū)動電流Ieff和漏電流Ioff中的至少之一，所述特性曲線包括轉(zhuǎn)移曲線Ids-Vgs、傳輸曲線Ids-Vds和電容電壓曲線C-V中的至少之一。

例如，本公開至少一實施例提供的工藝角的設(shè)置方法還包括：提取相同條件下所述第一電路模擬程序模型的第一數(shù)據(jù)點和所述第二電路模擬程序模型的第二數(shù)據(jù)點將二者進行比較，獲取比較結(jié)果。